Транзисторы. Петров Б.К - 43 стр.

UptoLike

Составители: 

43
напряжении на затворе (U
зи
=0). При более сильном легировании подложек p-
типа (ρ
p
<1 Омсм ) получаются транзисторы с индуцированным n-каналом
(U
отп
>0). Переходные вольтамперные характеристики для МДП транзисторов с
каналами трех типов показаны на рис.6 .
Для МДП-транзисторов со встроенным n-каналом (кривая 3 на рис.6 ) вместо
напряжения отпирания U
отп
вводится напряжение запирания U
0
. В формулы
(10) (12) вместо U
з
- U
отп
надо подставлять U
0
- U
з
при U
з
<0.
3.3. Дифференциальные низкочастотные параметры полевых МДП-
транзисторов
Дифференциальные параметры МДП транзисторов, как и в случае
полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом , можно определить из
статических характеристик
const
Ucи
зистст
UII
=
=
)( и
I
СТ
U
З
-
U
ОТС
0
U
ОТП 2
-
U
ОТП 1
1
2
3
Рис. 6. Зависимости =()| для МДП-
транзисторов трех типов:
1 - с индуцированным p-каналом ;
2 - с индуцированным n-каналом ;
3 - со встроенным n-каналом .
IfU
СТЗ
U
СТ
                                                 43

напряж ении на затворе (Uзи=0). При более сильном легировании под лож ек p-
типа (ρp<1 О м ⋅см ) получаю тся транзисторы с инд уцированны м n-каналом
(Uотп>0). Переход ны е вольтам перны ехарактеристики д ля М Д П транзисторов с
каналам и трех типовпоказаны на рис.6 .
                                      IС Т
                                                          3




                                                                2

                 1




                     -UО ТС       -UОТП1 0     UО ТП2               UЗ


                 Рис. 6. Зависим ости IС Т=f(UЗ)|UС Т д ля М Д П-
                 транзисторовтрех типов:
                        1 - синд уцированны м p-каналом ;
                        2 - синд уцированны м n-каналом ;
                        3 - со встроенны м n-каналом .
Д ля М Д П-транзисторов со встроенны м n-каналом (кривая 3 на рис.6 ) вм есто
напряж ения отпирания Uотп ввод ится напряж ение запирания U0. В ф орм улы
(10) – (12) вм есто Uз-Uотп над о под ставлятьU0-Uз при Uз<0.


     3.3. Д иф ф ер енциаль ны е низк очастотны е пар аметр ы полевы хМ Д П -
тр анзистор ов

     Д иф ф еренциальны е парам етры М Д П транзисторов, как и в случае
полевы х транзисторов с управляю щ им p-n-переход ом , м ож но опред елить из
статических         характеристик        I ст = I ст (U зи ) Ucи =const     и