Транзисторы. Петров Б.К - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

6
Область транзистора, расположенную между p-n-переходами, называют
базой . Примыкающие к базе области обычно делают неодинаковыми. Одну из
областей изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно происходила
инжекция носителей в базу, а другую – так, чтобы соответствующий p-n-
переход наилучшим образом осуществлял экстракцию носителей из базы .
Область транзистора, основным назначением которой является инжекция
неосновных носителей в базу, называют эмиттером , соответствующий p-n-
переход – эмиттерным. Область транзистора , основным назначением которой
является экстракция неосновных носителей из базы , называется коллектором ,
соответствующий p-n-переход – коллекторным.
Основные характеристики транзистора определяются процессами,
происходящими в базе.
Рассмотрим распределение потоков носителей в n-p-n-транзисторе в
активном режиме (рис. 2).
Через эмиттерный переход транзистора происходит инжекция носителей
заряда (электронов) в базу. Инжектированные носители (ток I
Эn
) частично
рекомбинируют в объеме базы , на ее поверхности и омическом контакте с
базой (ток I
Б.рек
), остальные пересекают базу, доходят до коллекторного
перехода и вытягиваются его полем в коллектор. К этой составляющей тока
коллектора добавляется ток тепловой генерации в базе, коллекторе и
коллекторном p-n- переходе I
К0
. Величина χ
n
=I
nK
/I
nЭ
<1 называется
а)
б )
Эмиттер
Эмиттер
База
База
Коллектор
Коллектор
Рис. 1. Схематическое изображение структур биполярных транзисторов
и их условное изображение: а - p-n-p-типа; б - n-p-n-типа.
p
+
p
p
-
n
n
+
n
-
                                          6

      О бласть транзистора, располож енную м еж д у p-n-переход ам и, назы ваю т
базой. Прим ы каю щ ие к базе области обы чно д елаю тнеод инаковы м и. О д ну из
областей изготавливаю ттак, чтобы из нее наиболее эф ф ективно происход ила
инж екция носителей в базу, а д ругую – так, чтобы соответствую щ ий p-n-
переход наилучш им образом осущ ествлял экстракцию носителей из базы .



               p+           n            p-

           Э м иттер       База      К оллектор



                                                    а)




               n+           p             n-

           Э м иттер       База       К оллектор


                                                     б)
     Рис. 1. Схем атическоеизображ ениеструктур биполярны х транзисторов
     и их условноеизображ ение: а - p-n-p-типа; б - n-p-n-типа.
      О бластьтранзистора, основны м назначением которой является инж екция
неосновны х носителей в базу, назы ваю т эм иттером , соответствую щ ий p-n-
переход – эм иттерны м . О бласть транзистора, основны м назначением которой
является экстракция неосновны х носителей из базы , назы вается коллектором ,
соответствую щ ий p-n-переход – коллекторны м .
      О сновны е характеристики транзистора опред еляю тся процессам и,
происход ящ им и вбазе.
      Рассм отрим распред еление потоков носителей в n-p-n-транзисторе в
активном реж им е(рис. 2).
      Ч ерез эм иттерны й переход транзистора происход итинж екция носителей
заряд а (электронов) в базу. И нж ектированны е носители (ток IЭ n) частично
реком бинирую т в объ ем е базы , на ее поверхности и ом ическом контакте с
базой (ток IБ.рек), остальны е пересекаю т базу, д оход ят д о коллекторного
переход а и вы тягиваю тся его полем в коллектор. К этой составляю щ ей тока
коллектора д обавляется ток тепловой генерации в базе, коллекторе и
коллекторном p-n- переход е IК 0. В еличина χn=InK/InЭ <1 назы вается

Страницы