Силовые преобразователи электрической энергии. Петрович В.П - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

16
более эффективно проходила инжекция носителей в базу, а другую так,
чтобы p–n-переход между базой и этой областью наилучшим образом
собирал инжектированные в базу носители, то есть осуществил экс-
тракцию носителей из базы. Область транзистора, основным назначени-
ем которой является инжекция носителей в базу, называют эмиттером,
а p–n-переход между базой и эмиттером – эмиттерным. Область транзи-
стора, основным назначением которой является собирание, экстракция
носителей из базы называют коллектором, а p–n-переход между базой и
коллектором – коллекторным.
В зависимости от последовательности чередования областей
с различным типом проводимости различают p–n–p-транзисторы и
n–p–n-транзисторы, условные графические обозначения которых пред-
ставлены, соответственно, на рис. 1.11.
Э
К
Б
Э
К
Б
Рис. 1.11. Условные обозначения биполярных транзисторов:
транзистор p–n–p-типа (а); транзистор n–p–n-типа (б)
В обоих типах транзисторов физические процессы аналогичны,
они различаются только типом инжектируемых и собираемых носите-
лей и имеют одинаково широкое применение.
Если на эмиттерном переходе напряжение прямое и он инжекти-
рует носители в базу, а на коллекторном переходе напряжение обратное
и он собирает носители из базы, то такое включение транзистора назы-
вают нормальным.
Если же на коллекторном переходе напряжение прямое и он
инжектирует носители в базу, а на эмиттерном переходе напряжение
обратное и он осуществляет экстракцию носителей из базы, то такое
включение транзистора называют инверсным. Следует отметить, что
вследствие несимметрии реальной структуры транзистора относительно
базы схемное включение транзистора в инверсном режиме, как правило,
не применяется, в переходных процессах оно иногда имеет место.
При работе транзистора возможны следующие три режима: ли-
нейный (усилительный), насыщения и отсечки. В линейном режиме
эмиттерный переход смещён в прямом направлении, а коллекторный – в
обратном. В режиме насыщения оба перехода смещены в прямом на-
правлении, а в режиме отсечки – в обратном. Работа транзистора осно-
вана на управлении токами электродов, в зависимости от приложенных
к его переходам напряжений. В линейном режиме, когда эмиттерный

Страницы