ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
35
Отрицательный ток управляющего электрода, выключающий ти-
ристор, должен иметь значительную скорость нарастания
мкс
A
20=
dt
di
и
значительную амплитуду. Для современных GTO-тиристоров эта ам-
плитуда доходит до 30 % от амплитуды анодного тока. Считается, что
эти тиристоры, благодаря своим свойствам, найдут наиболее широкое
применение в высоковольтных преобразователях.
1.1.4. Предельные характеристики полупроводниковых ключей
Система предельно допустимых параметров полупроводниковых
ключей объединяет граничные значения напряжений и токов для вход-
ной и выходной цепи, предельно допустимые температуры переходов
и корпуса, а также максимально возможную рассеиваемую мощность.
Предельное значение напряжения определяется развитием какого-либо
из видов пробоев в структуре прибора. В современных ключевых при-
борах, как правило, определяющим является лавинный пробой, приво-
дящий к неконтролируемому процессу умножения носителей при дос-
тижении критической напряженности электрического поля.
Максимально допустимые токи ключа устанавливаются из усло-
вия непревышения предельно допустимой рабочей температуры пере-
ходов, обеспечения надежности электрических выводов и контактов,
а также допустимыми пределами изменения усилительных свойств
ключа, которые не должны ухудшаться при заданной величине тока на-
грузки.
Предельно допустимая температура полупроводниковой структу-
ры прибора и его корпуса определяются свойствами исходного мате-
риала и особенностями конструкции.
Максимально рассеиваемая мощность определятся тепловым
сопротивлением ключа, которое связывает этот параметр с предельно
допустимой температурой полупроводника. Зависимость температуры
от выделяющейся мощности определяется конструкцией охладителя
и способом отведения тепла.
Предельные возможности силовых ключей наглядно представля-
ются диаграммами области безопасных режимов (ОБР).
1.1.4.1. Область безопасных режимов
Областью безопасных режимов называется совокупность элек-
трических параметров, при соблюдении которых обеспечивается на-
дежная работа полупроводникового ключа без существенного ухудше-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- …
- следующая ›
- последняя »
