ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
8
виде диодных сборок, к примеру, диодных мостов (рис. 1.2, б), силовых
диодных модулей (рис. 1.2, в), выполненных в едином корпусе. Струк-
тура диода показана на рис. 1.2, г, его графическое обозначение на
рис. 1.2, д, а его вольт-амперная характеристика – на рис. 1.2, е.
p
n
p n-переход
Анод Катод
А К
г
д
А К
U
I
о
U
U
D
A
a
A
I
A
U
е
а
в
I
D
б
Рис. 1.2. Полупроводниковые диоды: дискретное исполнение (а);
диодный мост (б); диодный силовой модуль (в); структура диода (г);
условное графическое обозначение диода (д);
вольт-амперная характеристика диода (е)
Поскольку на начальном участке прямой ветви вольт-амперной
характеристики диод имеет большое сопротивление, то обычно прямую
ветвь аппроксимируют в виде двух отрезков прямых (пунктир
на рис. 1.2, е), что позволяет определить напряжение отсечки –
о
U
,
а также динамическое сопротивление диода, вычисляемое по формуле:
дин
tg
U
R
I
D
= =a
D
, (1.1)
необходимые для анализа, расчёта и моделирования. Таким образом,
в прямом направлении диод описывается уравнением
о дин
UU RI
=+
. (1.2)
В обратном направлении сопротивление силового диода обычно
принимают равным бесконечности, а обратным током p–n-перехода
пренебрегают, считая его равным нулю.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »