Мощная импульсная энергетика. Пичугина М.Т. - 41 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

кафедра ТЭВН ЭЛТИ ТПУ
41
Тогда выражение (2.2) примет вид
ПЗ
ПЗМ
М
U-U
)UU(U2
m
+
−
=
. (2.4)
При работе конденсаторов в ГИТ изоляция конденсаторов
находится под воздействием затухающих колебательных импульсов
напряжения. Число частичных разрядов за один импульс можно
определить аналогичным образом. При этом число разрядов m за
первый полупериод приложенного напряжения будет равно
пз
2m
впвз
2
1
UU
U
UU
m
−
−
+
=
−
−
η
⋅
+η⋅
=
звзm
UUUUU
. (2.5)
За к-й полупериод
пз
1к
впвз
вп1
к
UU
U
UU
U
m
−
+
−
+
=
−
+
−
η
⋅+η⋅
=
++
)UU(U)U(UU
пзквзкк
, (2.6)
где U
m
= U
1
– величина зарядного напряжения; U
К
– амплитуда
к-го импульса.
α⋅−
+
⋅=
2
1кк
UU
Т
е , (2.7)
где α - коэффициент затухания разрядного контура.
Рис. 2.2. Схема замещения при наличии частичного
разряда в диэлектрике: С
В
– емкость включения;
С
Д
– емкость диэлектрика ,расположенного над
включением; С
Х
–емкость образца

Страницы