Мощная импульсная энергетика. Пичугина М.Т. - 49 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

кафедра ТЭВН ЭЛТИ ТПУ

Рис. 2.5. Принципиальная а) и электрическая б) схемы ГИТ с соединительными

элементами в виде кабелей:

I) –напряжение и ток на выходах конденсаторов; II) -напряжение и ток на

нагрузке при разомкнутом разряднике Р

; III)- напряжение и ток на нагрузке при

замкнутом в максимуме тока разряднике Р

; 1 и 2 – кабели для зарядки и

поджига; 3 – соединительные кабели разрядного контура

Для повышения ресурса изоляции необходимо подавлять

процессы зарождения и развития дендритов. Наибольшее влияние на

процессы зарождения дендритов оказывают микронеоднородности на

поверхности жилы, наличие у жилы воздушных включений, а также

инжектированный с поверхности жилы объемный заряд. Для того,

чтобы задержать зарождение дендрита, применяют полупроводящий

экран, исключающий воздушные включения. Для увеличения времени

развития дендритов наиболее эффективно применение короностойких

барьеров в толще изоляции (полимерных пленок с промазкой жидким

диэлектриком). В зависимости от конструкции Е у жилы кабеля

находится в пределах 20 – 40 кВ/мм.

Требование минимальной индуктивности кабеля можно

выполнить за счет уменьшения толщины изоляции и соответственно

. Индуктивность коаксиального кабеля

ln2L

⋅⋅= l ⋅10

-7

Гн, (2.23)

где l – длина кабеля, м, d

и D – диаметры жилы и изоляции кабеля,м.