Мощная импульсная энергетика. Пичугина М.Т. - 79 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

кафедра ТЭВН ЭЛТИ ТПУ
79
Рис.2.28.Скорость возрастания
сопротивления от тока:
• − плавкие предохранители;
х − плазменные прерыватели;
∆
− взрывные размыкатели;
− вакуумные размыкатели
с паузой тока;
■ − вак
уу
мные
р
азмыкатели
;
Основным фактором, определяющим быстродействие
размыкателя с дуговой коммутацией, является скорость роста
напряжения на дуге (автообдув, удаление заряженных частиц с
помощью магнитного поля, обдув газом или жидкостью и др.). Для
килоамперных токов наиболее эффективным способом удлинения
дуги является интенсивный обдув в поперечном направлении.
Эксперименты показали, что рост напряжения на дуге происходит,
в
основном, из-за удлинения дуги, процессы теплообмена играют тем
меньшую роль, чем выше плотность тока в разряде.
Независимо от характера процесса размыкания все размыкатели
должны иметь следующие характеристики:
- длительное время пребывания в проводящем состоянии;
- большой ток (малые потери) в проводящем состоянии;
- быстрое возрастание импеданса после размыкания;
- большое значение импеданса после размыкания;
- высокое допустимое напряжения
в разомкнутом состоянии:
- быстрое восстановление
(большая частота повторных
срабатываний).
Наиболее важным представляются
два параметра – ток через
размыкатель I
0
(способность
размыкателя выдержать большой
ток) и скорость нарастания
сопротивления размыкателя dR
p
/dt.
Чем больше эти величины, тем
более эффективно происходит
передача энергии к нагрузке в
мощной индуктивной разрядной
цепи.
Значения скорости
нарастания сопротивления в
зависимости от максимального тока
через размыкатель приведены на рис. 2.28. Мощным размыкателям
соответствует правая верхняя часть графика. Однако наиболее
мощные размыкатели – плавкие и взрывные – представляют собой
типичные устройства однократного
действия, тогда как на практике
часто требуются размыкатели многократного действия с частотой
срабатывания порядка нескольких тысяч импульсов в секунду. Этим
требованиям удовлетворяют плазменные и полупроводниковые

Страницы