ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Рис. 2.4 Рис. 2.5
В общем случае дислокация может иметь одновременно краевые и винтовые компоненты, тогда ее
называют смешанной дислокацией.
Скольжение дислокаций приводит к пластической деформации кристаллов. Их наличие позволяет
объяснить различие между теоретической и наблюдаемой реально прочностью.
По теории в бездефектном кристалле для относительного смещения его частей на одно межатомное
расстояние необходимо одновременно разорвать все связи между соседними атомами смещаемых час-
тей. В реальном же кристалле при последовательном перемещении дислокаций вдоль плоскости сколь-
жения связи разрываются поочередно, что значительно снижает уровень касательных напряжений, не-
обходимых для деформации.
Дислокации в кристаллических материалах могут быть ответственными и за начало разрушения.
Существуют выдвинутые теоретически и подтвержденные многочисленными экспериментами дислока-
ционные механизмы разрушения, основанные на факте накопления внутренних напряжений на различ-
ного рода скоплениях дислокаций и их взаимодействиях между собой. Наличие расклинивающей ре-
шетку экстраплоскости приводит к образованию микропоры, являющейся зародышем разрушения.
Пластическая деформация кристаллических материалов может осуществляться и посредством ме-
ханического (деформационного) двойникования.
Данное явление заключается в образовании под действием механических нагрузок двойниковых
прослоек, внутри которых материал расположен симметрично материалу основного кристалла (матри-
це) относительно некоторой плоскости (плоскости двойникования).
На рис. 2.6 представлен процесс развития одиночной двойниковой прослойки. В недеформирован-
ном кристалле показано положение плоскости двойникования аа (рис. 2.6, а). Если в ней в процессе де-
формации появляются касательные напряжения, то внутри кристалла возникает прослойка двойника
(рис. 2.6, б) с некогерентными границами (не параллельными плоскости двойникования). На поверхно-
сти кристалла образуется характерная ступенька. При дальнейшем нагружении двойник прорастает до
противоположной поверхности, тоже образуя на ней ступеньку
(рис. 2.6, в). Границы двойника становятся когерентными.
РИС. 2.6
По современным представлениям процесс двойникования осуществляется последовательными про-
бегами так называемых двойникуюших дислокаций в плоскостях, параллельных плоскости двойникова-
ния с послойным переводом в симметричное состояние материала матрицы (рис. 2.7). Если двойник при
этом оканчивается внутри кристалла, то двойникующие дислокации останавливаются каждая в своей
плоскости на некогерентных границах.
a
a
)
a
)
б
)
c
a
a
b
b
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
