Материаловедение и материалы электронной техники. Плотянская М.А - 59 стр.

UptoLike

59
энергией, чем значение энергии ши$
рины запрещенной зоны. Так как при
каждом акте возбуждения в соб$
ственном полупроводнике одновре$
менно создаются два носителя заря$
да противоположных знаков, то об$
щее количество носителей заряда в
два раза больше числа электронов в
зоне проводимости. При приложении
к кристаллу внешнего электрическо$
го поля свободные электроны переме$
щаются против поля (из$за отрица$
тельного заряда), а дырки – в направ$
лении поля. Но электроны, хотя и
движутся в противоположном на$
правлении, создают обычный ток, со$
впадающий с внешним приложен$
ным полем. Следовательно, элект$
ронный и дырочный токи текут в од$
ном и том же направлении и поэтому
складываются.
Для большинства полупровод$
никовых приборов используются
примесные полупроводники. Полу$
проводник, имеющий примеси, называется примесным, а прово$
димость, созданная введенной примесью, называется примесной
проводимостью.
Если в полупроводник IV группы таблицы Менделеева ввести в
качестве примеси мышьяк, то атому примеси для завершения кова$
лентных связей с атомами основного вещества необходимо четыре
валентных электрона. Пятый электрон атома примеси в ковалент$
ной связи не участвует. Со своим атомом он связан силой кулоновс$
кого взаимодействия. Энергия этой связи невелика (сотые доли элек$
трон$вольта). Так как при комнатной температуре тепловая энергия
kT= 0,026 эВ, то очевидно, что при этой температуре происходит иони$
зация примесных атомов мышьяка вследствие отрыва пятого вален$
тного электрона, который становится свободным.
Наряду с ионизацией примеси, может происходить и ионизация
атомов основного вещества. Но в области температур ниже той, при
которой имеет место значительная собственная проводимость, число
электронов, оторванных от примеси, значительно больше числа элек$
Рис. 27
W
c
W
v
DW
0
W
c
W
v
DW
0
W
c
W
v
DW
0
W
c
W
v
DW
0
W
a
б)
a)
в)