Составители:
88
BaNaNb
5
O
15
и др.; дипольные кристаллы, к которым относятся сегне$
това соль NaKC
4
H
4
O
6
–4H
2
O, триглицинсульфат (NH
2
CH
2
COOH)
3
–
H
2
SO
4
, дигидрофосфат калия КН
2
РО
4
и др.
Все соединения первой группы нерастворимы в воде, обладают зна$
чительной механической прочностью, легко получаются по керами$
ческой технологии. Дипольные соединения, наоборот, обладают ма$
лой механической прочностью и растворимостью в воде, благодаря
чему можно вырастить крупные монокристаллы этих соединений из
водных растворов.
Сегнетоэлектрики применяются для изготовления малогабарит$
ных низкочастотных конденсаторов с большой удельной емкостью;
при изготовлении материалов с большой нелинейностью поляриза$
ции для диэлектрических усилителей, модуляторов и других управ$
ляемых устройств; в вычислительной технике для ячеек памяти; для
модуляции и преобразования лазерного излучения; в пьезо$ и пиро$
электрических преобразователях.
Среди конденсаторной сегнетокерамики можно выделить, напри$
мер Т$900, кристаллическая фаза которого представляет собой твер$
дый раствор титанатов стронция SrTiO
3
и висмута Bi
4
Ti
3
O
12
с темпе$
ратурой Кюри Т
к
= –140°С. Этот материал имеет «сглаженную» зави$
симость диэлектрической проницаемости от температуры. Для про$
изводства малогабаритных конденсаторов на низкие напряжения
используют также материал СМ$1, изготовляемый на основе тита$
ната бария с добавлением оксидов циркония и висмута. Для изготов$
ления конденсаторов, работающих при комнатной температуре, в том
числе и высоковольтных, используется материал Т$8000 (e
r
= 8000),
имеющий кристаллическую фазу на основе BaTiO
3
–BaZrO
3
. Точка
Кюри этого материала близка к комнатной температуре.
Для изготовления нелинейных конденсаторов применяются дру$
гие сегнетоэлектрические материалы, обладающие резко выражен$
ными нелинейными свойствами – сильной зависимостью диэлектри$
ческой проницаемости от напряженности электрического поля. Та$
кие материалы называются варикондами. Вариконды предназначе$
ны для управления параметрами электрических цепей изменением
их емкости. Сегнетоэлектрики, петля гистерезиса которых по форме
близка к прямоугольной, например такие, как триглицинсульфат
(ТГС), можно применять в запоминающих устройствах ЭВМ.
Кристаллы некоторых сегнетоэлектриков и антисегнетоэлект$
риков имеют сильно выраженный электрооптический эффект (ан$
тисегнетоэлектрики, как и сегнетоэлектрики, также имеют домен$
ное строение, однако спонтанная поляризованность каждого до$
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 86
- 87
- 88
- 89
- 90
- …
- следующая ›
- последняя »
