Практикум по ядерной физике. В.О. Сергеева - 125 стр.

UptoLike

Составители: 

E
γ
> 1022 кэВ начинается процесс образования пар электрон-
позитрон). Эти пики соот ветствуют энергиям: E
1
= E
γ
511 кэВ
и E
2
= E
γ
1022 кэВ.
Как правило, радиоа ктивные источники окружены защитой,
чаще всего с винцовой. При попадании γ- излучения или заряжен-
ных частиц на материал з ащиты в ней возникает характеристи-
ческое рентгеновское излучение. Для свинца энергия этого излу-
чения составляет 75 кэВ (K-рентгеновское излучение). Если не
принято специальных мер, в аппаратурном спектре появляется
пик, соответствующий этой энергии (г ).
В спектре
60
Co присутствует так называемый пик суммы.
Энергия пика суммы соответствует суммарной энергии каскад-
но испускаемых гамма-квантов, одновременно попавших в сцин-
тиллятор (E
сумм.
= 1173 кэВ + 1332 кэв = 2505 кэВ). Интенсив-
ность пика суммы заметно слабее интенсивности пиков полного
поглощения.
Спектры монохроматического γ-излучения характеризуются
следующими величинами:
1) разрешающей способностью R спектрометра, численно
равной отношению ширины пика полного поглощения на полу-
высоте (в энергетических единицах) к энергии γ-излучения (см.
рис. 25 на с. 7 1). Обычно для γ-лучей
137
Cs (E
γ
= 662 кэВ) раз-
решающая способность составляет от 7 до 12%. Для γ-лучей с
б´ольшей энерги ей разрешающая способность улучшается. Обыч-
но R 1/
"
E
γ
;
2) фоточастью, численно равной отношению площади, огра-
ничивающей пик полного поглощения, к площади всего спектра.
Для увеличения площади пика полного поглощения следует брать
кристаллы больших размеров ;
3) эффективностью, численно равной отношению числа γ-
квантов, заре гистрированных спектрометром к числу попавших
в спектрометр γ-квантов. Эффект ивность зав исит от энергии γ-
квантов и убывает с возрастанием эне рг ии γ-лучей. Например,
для кристалла с размерами h=30 мм и 45 мм для E
γ
= 662 кэВ
эффективность достигает 40%, а для E
γ
= 1200 кэ В не прев ы ша-
ет 20% (см. рис. 60 на с. 129);
Полупроводниковые детекторы излучений по своим спектро-
скопическим свойствам значительно превосходят сцинтилляци-
онные кристаллы. Напр и мер, разрешение полупроводникового
01/09 125