Составители:
слои в дрейфовых детекторах. Например, осуществляют дрейф
лития в материале p-типа, затем на противоположной поверхно-
сти кристалла образуют барьерный слой, что приводит к обра-
зованию мертвого слоя толщиной 0,5 мкм. Такие детекто ры ис-
пользуют для регистрации мягкого γ-излучения и рентгеновских
лучей.
§ 4. Радиотехническая аппаратура,
применяемая для работы с детекторами
Большие возможности полупроводниковых детекторов могут
быть ис пользованы полностью только при наличии радиотехни-
ческой аппаратуры, сконструированной в соотв етствии с харак-
теристиками детекторов. К этой аппаратуре предъявляются вы-
сокие требования:
1) большой коэффициент усиления тракта;
2) низкий уровень шумов;
3) вы сокая стабильность параметров;
4) компактность (по крайней мере, предусилителя);
5) линейность;
6) возможность многоканального анализа спектра .
Развитие полупроводниковых спектрометров привело к созда-
нию новой радиотехнической аппаратуры, удовлетворяющей пе-
речисленным требованиям.
Блок-схема спектрометра с полупроводниковым детектором
показана на рис. 20.
!"# $ %
Рис. 20. Блок-схема спек тр ометра с полупроводниковым детектором:
1 — детектор; 2 — предусилитель; 3 — источник высокого напряже-
ния (н ап ряжение смещения); 4 — главный (спектрометрическ ий) уси-
литель; 5 — многоканальный ан ал изатор
Предусилитель. Сигнал от детектора представляет собой
импульс электрического заряда Q, собранного на электродах де-
тектора. Этот заряд, проходя по внешней цепи, создает падение
напряжения
U = Q/C , (4.3)
64
Страницы
- « первая
 - ‹ предыдущая
 - …
 - 62
 - 63
 - 64
 - 65
 - 66
 - …
 - следующая ›
 - последняя »
 
