Элементы квантовой, атомной и ядерной физики. Полицинский Е.В. - 94 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

нем (рис. 53). Сплошная кривая показывает его смещение с температу-

рой. При температурах, при которых примесные атомы оказываются

полностью истощенными и увеличение концентрации носителей проис-

ходит за счет возбуждения собственных носителей, уровень Ферми рас-

полагается посередине запрещенной зоны, как в собственном полупро-

воднике.

Рис. 52. Изменение положения Рис. 53. Изменение положения

уровня Ферми с изменением T уровня Ферми с изменением T

для полупроводников n-типа для полупроводников p-типа

Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость

любого проводника, определяется концентрацией носителей и их под-

вижностью. С изменением температуры подвижность носителей меня-

ется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носи-

телей – по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому прово-

димость примесных полупроводников от температуры определяется в

основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в

нём. На рис. 54 дан примерный график зависимости ln

от 1/T для при-

месных полупроводников. Участок AB описывает примесную проводи-

мость полупроводника. Рост примесной проводимости полупроводника

с повышением температуры обусловлен в основном ростом концентра-

ции примесных носителей. Участок ВС соответствует области истоще-

ния примесей (это подтверждают и эксперименты), участок CD описы-

вает собственную проводимость полупроводника.

Рис.54. Зависимость ln

(1/T)для примесных полупроводников