Проектирование полосковых устройств СВЧ. - 115 стр.

UptoLike

109
()
[]
=
=
N
n
nN
dnjkAF
1
cos1exp
θ
, (7.6)
где
A
n
амплитуда
n
-го излучателя;
θ
угол, отсчитываемый от угла
решетки;
N
число излучателей. При этом предполагается, что число
элементов резонаторного типа составляет
N/2
. Если расстояние между
излучателями решетки
d=
λ
/2
, то
КНД
решетки
==
=
N
n
n
N
n
n
AAD
1
2
2
1
, (7.7)
Наибольшая направленность решетки достигается, когда все амплитуды
равны:
A
n
=A
. Тогда
КНД
решетки
D=N
. Это случай однородного
возбуждения линейной решетки.
ДН
однородной линейной решетки с использованием принципа
перемножения
ДН
записывается в виде
() ()()
θ
ϕ
θ
ϕ
θ
N
FFF
,,
1
=
, (7.8)
где
F
1
(
θ
,
φ
)
ДН
одного излучателя;
F
N
групповая характеристика
направленности решетки. ДН элемента резонаторного типа описывается
выражением (7.1). При
N/2
элементов в решетке групповая характеристика
направленности
()()
ФNNФF
N
sin24sin
=
, (7.9)
где
Ф=(kdcos
θ−
Ф
0
)
сдвиг по фазе между полями, создаваемыми соседними
элементами;
Ф
0
разность фаз при возбуждении соседних элементов. При
синфазном возбуждении решетки
Ф
0
=0
.
Способы возбуждения элементов решетки.
При
синфазном возбуждении
элементов резонаторного типа, для
избежания появления вторичных главных лепестков в
ДН
, расстояние между
элементами решетки не должно превышать
λ/2
. Резонансное возбуждение
решетки характеризуется тем, что основное излучение направлено по
нормали к плоскости решетки. Основной недостаток такого возбуждения это
плохое согласование решетки с линией передачи.
Указанного недостатка лишена антенная решетка с
возбуждением
элементов
«вне резонанса»
в режиме бегущей волны
. При большом числе
элементов отражения от каждого из них «в среднем» компенсируются, что