Проектирование полосковых устройств СВЧ. - 35 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Рубрика: 

29
,
2
ln
1
11
++=
t
B
W
h
A
Э
π
(2.31)
,
0
ρµπ
fR
S
=
(2.32)
≤
≥
=
,.
2
1
2
,
2
1
π
π
π
hWдляW
hWдляh
B
(2.33)
где
ρ
– удельное сопротивление проводника.
Потери в диэлектрике определяются по формуле
,
1
1
3,27
0
λ
δ
ε
ε
ε
ε
α
tg
эф
эф
r
r
Д
−
−
=
(2.34)
где
tg
δ
– тангенс угла диэлектрических потерь. Потери в диэлектрике обычно
много меньше потерь в проводниках.
Собственная добротность микрополосковой линии
Q
– один из главных
параметров, который позволяет судить о возможностях создания на ее основе
цепей с высокой избирательной способностью: узкополосных фильтров,
резонаторов и др. Собственная добротность определяется по формуле
ИДМ
QQQQ
1111
0
++=
(2.35)
В регулярных МПЛ
Q
И
>
Q
Д
>
Q
М
, поэтому пренебрегаем влиянием
Q
И
,
определяем
Q
0
по формуле
ДМ
ДМ
QQ
QQ
Q
+
=
0
, (2.36)
где
Q
М
– добротность, определяемая потерями в металле;
Q
Д
– добротность,
определяемая потерями в диэлектрике подложки;
Q
И
– добротность,
определяемая потерями на излучение.
Добротность в металле
Q
М
определяется по приближенной формуле
эфМ
f
h
W
hZQ
σε
≈
−
0
3
10
, (2.37)

Страницы