Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе. Прохоров С.Г - 20 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КНИТУ-КАИ им. Туполева | Казань

Составители: 

Рубрика: 

20
кость транзистора или емкость эмиттерного p-n-перехода, С
0
– суммарная
емкость выходной цепи каскада, равная
нм220
СCCC
+
+= ,
где
С
22
– выходная емкость транзистора или емкость коллекторного
p-n-перехода, С
м
– емкость монтажа, С
н
– емкость нагрузки. Транзистор
включен по схеме с общим эмиттером (рис. 16).
h
11э
h
22э
.
I
1
1/
h
22э
R
н
R
к
R
б
С
р1
С
р2
C
0
C
11
Рис. 16. Полная эквивалентная электрическая схема каскада с емкостной связью
Удобно проводить расчет усилителя отдельно для областей нижних,
средних и верхних частот. Для каждой области составляется своя эквива-
лентная электрическая схема, по которой и рассчитываются параметры уси-
лителя. Так в области нижних частот необходимо учесть, что величины ем-
костей
С
11
и С
0
невелики и при низких частотах сопротивление этих конден-
саторов гораздо больше, чем параллельно включенные им резисторы
R
б
, h
11
и
R
к
, R
н
, соответственно. Поэтому влиянием этих емкостей на работу схемы
можно пренебречь (рис. 17).
h
11э
h
22э
.
I
1
1/
h
22э
R
н
R
к
R
б
С
р1
С
р2
Рис. 17. Эквивалентная электрическая схема усилителя
в области нижних частот
Номиналы емкостей
С
р1
и С
р2
достаточно велики (~мкФ), поэтому их
сопротивления в области верхних частот становятся очень малыми и ими при
расчетах каскада в данной области можно пренебречь. Соответственно
уменьшается и сопротивление емкостей
С
11
и С
0
. Эти конденсаторы начина-
ют шунтировать включенные параллельно им резисторы
R
б
, h
11
и R
к
, R
н
, соот-
ветственно. Следовательно, в области верхних частот необходимо учитывать
влияние емкостей
p-n-переходов и емкости нагрузки на работу усилителя
(рис. 18). В следующих примерах эквивалентная электрическая схема усили-
теля в области верхних частот приводиться не будет. 
кость транзистора или емкость эмиттерного p-n-перехода, С0 – суммарная
емкость выходной цепи каскада, равная
     C0 = C22 + Cм + Сн ,
где С22 – выходная емкость транзистора или емкость коллекторного
p-n-перехода, См – емкость монтажа, Сн – емкость нагрузки. Транзистор
включен по схеме с общим эмиттером (рис. 16).

         Ср1                                                               Ср2

         Rб         C11   h11э             h22э.I1          1/h22э        Rк          C0   Rн




    Рис. 16. Полная эквивалентная электрическая схема каскада с емкостной связью

      Удобно проводить расчет усилителя отдельно для областей нижних,
средних и верхних частот. Для каждой области составляется своя эквива-
лентная электрическая схема, по которой и рассчитываются параметры уси-
лителя. Так в области нижних частот необходимо учесть, что величины ем-
костей С11 и С0 невелики и при низких частотах сопротивление этих конден-
саторов гораздо больше, чем параллельно включенные им резисторы Rб, h11 и
Rк, Rн, соответственно. Поэтому влиянием этих емкостей на работу схемы
можно пренебречь (рис. 17).


              Ср1                                                                 Ср2

                    Rб       h11э                 h22э.I1        1/h22э          Rк        Rн




                    Рис. 17. Эквивалентная электрическая схема усилителя
                                   в области нижних частот

      Номиналы емкостей Ср1 и Ср2 достаточно велики (~мкФ), поэтому их
сопротивления в области верхних частот становятся очень малыми и ими при
расчетах каскада в данной области можно пренебречь. Соответственно
уменьшается и сопротивление емкостей С11 и С0. Эти конденсаторы начина-
ют шунтировать включенные параллельно им резисторы Rб, h11 и Rк, Rн, соот-
ветственно. Следовательно, в области верхних частот необходимо учитывать
влияние емкостей p-n-переходов и емкости нагрузки на работу усилителя
(рис. 18). В следующих примерах эквивалентная электрическая схема усили-
теля в области верхних частот приводиться не будет.
                                             20

Страницы