Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе. Прохоров С.Г - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КНИТУ-КАИ им. Туполева | Казань

Составители: 

Рубрика: 

5
Принято характеризовать влияние изменения обратного тока коллекто-
ра I
к0
на ток коллектора I
к
коэффициентом температурной нестабильности S:
к0
к
dI
dI
S = .
Для схемы с общим эмиттером
D
D
S
+−
+
=
α1
1
,
где
21
кэ
2
э
1
э
,
1β
β
α
RR
RR
R
R
R
R
D
⋅
⋅
++=
+
= .
Здесь R
э
– сопротивление в цепи эмиттера. В данном случае R
э
= 0, по-
этому D = 0 и, следовательно,
1β
α1
1
+=
−
=S ,
где β=h
21э
– коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
(β=h
21э
~100), т.е. коэффициент температурной нестабильности S очень велик.
Способ фиксированного напряжения базы
В схему включения транзистора вместо одного базового резистора вво-
дим делитель из двух сопротивлений (рис. 3). Напряжение источника пита-
ния Е
к
задано в исходных данных. Считаем
также известными ток базы транзистора в
точке "А" – I
бА
и падение напряжения на
транзисторе в точке "А" – U
бэА
, поскольку
рабочую точку "А" выбираем сами на нагру-
зочной прямой. По второму правилу Кирх-
гофа запишем уравнение равновесия напря-
жений для входной цепи:
2211к
RIRIE ⋅+⋅= ,
или, с другой стороны,
бэА11к
URIE +⋅= ,
причем
бА21
III += .
Если известен параметр
h
11э
– входное сопротивление транзистора, то
сопротивление
R
2
, которое включено ему параллельно, выбирают в 2÷5 раз
больше входного сопротивления транзистора
h
11э
. Зная h
11э
, находим
э112
5 hR ⋅=
,
затем находим ток через резистор
R
2
бА2
бэАк
1
2
бэА
2
II
UE
R
R
U
I
+
−
=→= .
Е
к
R
1
I
1
I
к
R
к
U
бэ
U
кэ
U
вых
U
вх
R
2
I
2
Рис. 3. Схема задания фиксиро-
ванного напряжения базы 
       Принято характеризовать влияние изменения обратного тока коллекто-
ра Iк0 на ток коллектора Iк коэффициентом температурной нестабильности S:
            dI
        S= к .
            dI к0
      Для схемы с общим эмиттером
           1+ D
      S=          ,
         1− α + D
           β         R    R    R ⋅R
где   α=      ,   D= э + э + э к .
         β +1        R1 R2 R1 ⋅ R2
      Здесь Rэ – сопротивление в цепи эмиттера. В данном случае Rэ = 0, по-
этому D = 0 и, следовательно,
           1
      S=        = β + 1,
          1− α
где β=h21э – коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
(β=h21э~100), т.е. коэффициент температурной нестабильности S очень велик.

                      Способ фиксированного напряжения базы

     В схему включения транзистора вместо одного базового резистора вво-
дим делитель из двух сопротивлений (рис. 3). Напряжение источника пита-
ния Ек задано в исходных данных. Считаем
также известными ток базы транзистора в                         Ек
точке "А" – IбА и падение напряжения на              I 1 Rк
                                                 R1         Iк
транзисторе в точке "А" – UбэА, поскольку
рабочую точку "А" выбираем сами на нагру-
зочной прямой. По второму правилу Кирх-
гофа запишем уравнение равновесия напря-               Uбэ
                                                            Uкэ
                                                 R2
жений для входной цепи:                      Uвх                   Uвых
                                                          I2
       Eк = I1 ⋅ R1 + I 2 ⋅ R2 ,
или, с другой стороны,
     Eк = I1 ⋅ R1 + U бэА ,                      Рис. 3. Схема задания фиксиро-
причем I1 = I 2 + I бА .                           ванного напряжения базы

     Если известен параметр h11э – входное сопротивление транзистора, то
сопротивление R2, которое включено ему параллельно, выбирают в 2÷5 раз
больше входного сопротивления транзистора h11э. Зная h11э, находим
      R2 = 5 ⋅ h11э ,
затем находим ток через резистор R2
           U               E − U бэА
      I 2 = бэА → R1 = к               .
            R2              I 2 + I бА
                                        5

Страницы