Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 20 стр.

подобно изменению зарядов на обкладках конденсатора при изменении
приложенного к нему напряжения. Емкость, связанную с изменением
инжектированных носителей при изменении напряжения, называют
диффузионной и определяют как отношение приращения инжектированного
заряда в базе к вызвавшему его приращению напряжения:

     C ДИФ = dQИНЖ / dU .                                          (2.16)

     Диффузионная емкость увеличивается с увеличением прямого тока.
Кроме того, она тем больше, чем больше время жизни неосновных
инжектированных носителей заряда, так как при этом меньше рекомбинация и
больше носителей накапливается у границы р-n-перехода.
     При     подключении     к    р-n-переходу     обратного   напряжения
перераспределение зарядов вследствие экстракции незначительно, поэтому
диффузионная емкость мала. При прямом напряжении диффузионная емкость
значительно больше барьерной, а при обратном напряжении наоборот. Поэтому
при прямом напряжении учитывают C ДИФ , а при обратном − C б .




42