ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
84
Эффективность светопередачи зависит от качества оптических контактов
между излучающим элементом и световодом, световодом и фотоприемником.
Эта задача решается путем применения стекол с высоким коэффициентом
преломления (свинцовых или селеновых). Наименьшее внутреннее отражение
можно обеспечить за счет создания излучающих устройств со сферической
поверхностью, но в технологии микросхем, где используются элементы
планарной конфигурации, наиболее пригодны устройства плоской конструкции
(рисунок 3.40).
Рисунок 3.40
На рисунке 3.40 показана схема оптрона с плоской конструкцией, в
котором оптический канал 4 между светоизлучателем 2 и фотоприемником 3
выполнен из селенового стекла; 1 - омические контакты. На рисунке 3.41
представлена схема оптотранзистора с прямой оптической связью.
Рисунок 3.41
Эмиттерный переход включен в прямом направлении. За счет
рекомбинационных процессов он излучает свет. Коллектор включают в
обратном направлении. Излучение с эмиттерного перехода поглощается в
области коллекторного перехода, в результате в коллекторе и во внешней цепи
проходит ток. Для работы оптотранзистора необходимо, чтобы в базе не
поглощалось излучение, испускаемое эмиттерным p-n-переходом. Для
электрической изоляции входной и выходной цепей в базе параллельно с р-n -
переходами (рисунок 3.41) создают высокоомный слой.
Эффективность светопередачи зависит от качества оптических контактов
между излучающим элементом и световодом, световодом и фотоприемником.
Эта задача решается путем применения стекол с высоким коэффициентом
преломления (свинцовых или селеновых). Наименьшее внутреннее отражение
можно обеспечить за счет создания излучающих устройств со сферической
поверхностью, но в технологии микросхем, где используются элементы
планарной конфигурации, наиболее пригодны устройства плоской конструкции
(рисунок 3.40).
Рисунок 3.40
На рисунке 3.40 показана схема оптрона с плоской конструкцией, в
котором оптический канал 4 между светоизлучателем 2 и фотоприемником 3
выполнен из селенового стекла; 1 - омические контакты. На рисунке 3.41
представлена схема оптотранзистора с прямой оптической связью.
Рисунок 3.41
Эмиттерный переход включен в прямом направлении. За счет
рекомбинационных процессов он излучает свет. Коллектор включают в
обратном направлении. Излучение с эмиттерного перехода поглощается в
области коллекторного перехода, в результате в коллекторе и во внешней цепи
проходит ток. Для работы оптотранзистора необходимо, чтобы в базе не
поглощалось излучение, испускаемое эмиттерным p-n-переходом. Для
электрической изоляции входной и выходной цепей в базе параллельно с р-n -
переходами (рисунок 3.41) создают высокоомный слой.
84
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 60
- 61
- 62
- 63
- 64
- …
- следующая ›
- последняя »
