ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
107
увеличением напряжения U (рисунок 4.14 6). С помощью рассмотренной
низкочастотной коррекции при правильном выборе значений R
ф
С
ф
можно
значительно увеличить полосу пропускания за счет увеличения диапазона
нижних рабочих частот и существенно снизить скос плоской вершины
импульса на выходе.
Цепи, изменяющие частотную характеристику в области нижних частот и
переходную характеристику в области больших времен, называют цепями
низкочастотной коррекции. Цепочка R
ф
С
ф
одновременно является
развязывающим фильтром, предотвращающим появление паразитной ОС через
общий источник питания, так как переменная составляющая напряжения
питания замыкается через С
ф
на землю и не попадает в коллекторную цепь
транзистора.
Высокочастотная коррекция (коррекция фронта импульса). Наибольшее
распространение получила схема высокочастотной параллельной коррекции
индуктивностью. Корректирующая катушка индуктивности L
K
включается
последовательно с резистором коллекторной нагрузки R
K
(рисунок 4.15 а). Они
образуют параллельный резонансный контур с емкостью С
0
, нагружающей
каскад.
Рисунок 4.15
На рисунке 4.15 б показана эквивалентная схема выходной цепи каскада
для верхних частот полосы пропускания. Емкость
С
о
= С
н
+ С
м
+ С
вых
. (4.25)
где С
н
- емкость нагрузки;
С
м
- емкость монтажа;
С
вых
– выходная емкость транзистора.
увеличением напряжения U (рисунок 4.14 6). С помощью рассмотренной
низкочастотной коррекции при правильном выборе значений RфСф можно
значительно увеличить полосу пропускания за счет увеличения диапазона
нижних рабочих частот и существенно снизить скос плоской вершины
импульса на выходе.
Цепи, изменяющие частотную характеристику в области нижних частот и
переходную характеристику в области больших времен, называют цепями
низкочастотной коррекции. Цепочка RфСф одновременно является
развязывающим фильтром, предотвращающим появление паразитной ОС через
общий источник питания, так как переменная составляющая напряжения
питания замыкается через Сф на землю и не попадает в коллекторную цепь
транзистора.
Высокочастотная коррекция (коррекция фронта импульса). Наибольшее
распространение получила схема высокочастотной параллельной коррекции
индуктивностью. Корректирующая катушка индуктивности LK включается
последовательно с резистором коллекторной нагрузки RK (рисунок 4.15 а). Они
образуют параллельный резонансный контур с емкостью С0, нагружающей
каскад.
Рисунок 4.15
На рисунке 4.15 б показана эквивалентная схема выходной цепи каскада
для верхних частот полосы пропускания. Емкость
Со = Сн + См + Свых . (4.25)
где Сн - емкость нагрузки;
См - емкость монтажа;
Свых – выходная емкость транзистора.
107
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 83
- 84
- 85
- 86
- 87
- …
- следующая ›
- последняя »
