ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
111
эмиттера одна I транзистора увеличится, а другого уменьшится на U
вх12
/2
соответственно, приращения токов в плечах схемы будут одинаковы, но будут
иметь разные знаки. Потенциал коллектора одного транзистора увеличится, а
другого уменьшится на одно и то же значение. На выходе схемы между
точками а и б появится разность потенциалов, а следовательно, выходное
напряжение будет равно:
U
вых12
= U
вых1
- U
вых2
. (4.18)
Таким образом, дифференциальный сигнал, поданный на вход ДУ,
вызывает появление усиленного сигнала на выходе. Поскольку paссмотренный
тип усилителей реагирует только на дифференциальный сигнал, его называют
дифференциальным усилителем.
В идеальных ДУ за счет подавления синфазного сигнала дрейфа нуля не
существует, так как напряжение дрейфа обоих плеч является синфазным
сигналом для симметричных цепей ДУ. Помехи и наводки действующие
одновременно на оба входа, часто являются синфазными составляющими
входного сигнала, но, поскольку абсолютная симметрия плеч ДУ практически
невозможна, полностью подавить синфазную составляющую входного сигнала
не удается; в реальных ДУ дрейф нуля существует, но он очень незначителен
по сравнению с дифференциальным (полезным) сигналом.
Коэффициент усиления дифференциального сигнала при идеальной
симметрии схемы, когда отсутствует синфазная составляющая входного
сигнала определяется:
К
Д
= U
ВЫХ12
/(U
ВХ1
– U
ВХ2
) , (4.19)
где выходное напряжение U
вых12
=U
BblX
- U
Bых2 .
В реальном ДУ в присутствии синфазной составляющей сигнала
U
ВЫХ12
= К
Д
(U
ВХ1
– U
ВХ2
)+К
С
(U
ВХ1
+ U
ВХ2
)/2 , (4.20)
где К
с
– коэффициент усиления синфазного сигнала, когда
дифференциальный сигнал отсутствует.
Качество дифференциального усилителя оценивают коэффициентом
подавления синфазного сигнала:
К
псс
= К
д
/ К
с
. (4.21)
ДУ считается хорошим, если К
псс
≥ 10
4
÷ 10
5
или 80 - 100 Дб. Отметим,
что, поскольку в основе работы ДУ лежит идеальная симметричность его плеч,
а выполнить это практически возможно только при микроэлектронном
исполнении, наиболее широко ДУ используются в интегральных микросхемах.
эмиттера одна I транзистора увеличится, а другого уменьшится на Uвх12/2
соответственно, приращения токов в плечах схемы будут одинаковы, но будут
иметь разные знаки. Потенциал коллектора одного транзистора увеличится, а
другого уменьшится на одно и то же значение. На выходе схемы между
точками а и б появится разность потенциалов, а следовательно, выходное
напряжение будет равно:
Uвых12 = Uвых1 - Uвых2 . (4.18)
Таким образом, дифференциальный сигнал, поданный на вход ДУ,
вызывает появление усиленного сигнала на выходе. Поскольку paссмотренный
тип усилителей реагирует только на дифференциальный сигнал, его называют
дифференциальным усилителем.
В идеальных ДУ за счет подавления синфазного сигнала дрейфа нуля не
существует, так как напряжение дрейфа обоих плеч является синфазным
сигналом для симметричных цепей ДУ. Помехи и наводки действующие
одновременно на оба входа, часто являются синфазными составляющими
входного сигнала, но, поскольку абсолютная симметрия плеч ДУ практически
невозможна, полностью подавить синфазную составляющую входного сигнала
не удается; в реальных ДУ дрейф нуля существует, но он очень незначителен
по сравнению с дифференциальным (полезным) сигналом.
Коэффициент усиления дифференциального сигнала при идеальной
симметрии схемы, когда отсутствует синфазная составляющая входного
сигнала определяется:
КД = UВЫХ12/(UВХ1 – UВХ2) , (4.19)
где выходное напряжение Uвых12 =UBblX - UBых2 .
В реальном ДУ в присутствии синфазной составляющей сигнала
UВЫХ12 = КД (UВХ1 – UВХ2)+КС(UВХ1 + UВХ2)/2 , (4.20)
где Кс – коэффициент усиления синфазного сигнала, когда
дифференциальный сигнал отсутствует.
Качество дифференциального усилителя оценивают коэффициентом
подавления синфазного сигнала:
Кпсс = Кд / Кс. (4.21)
ДУ считается хорошим, если Кпсс ≥ 104 ÷ 105 или 80 - 100 Дб. Отметим,
что, поскольку в основе работы ДУ лежит идеальная симметричность его плеч,
а выполнить это практически возможно только при микроэлектронном
исполнении, наиболее широко ДУ используются в интегральных микросхемах.
111
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 87
- 88
- 89
- 90
- 91
- …
- следующая ›
- последняя »
