5
Пример:
Память на основе фазовых переходов
ФОТОНИКА
Память на метал. наночастицах: Ga
2003 -
Intel, IBM, HP, Philips и др.
ЭЛЕКТРОНИКА
25GB/слой (2006)
0.015 Tb/дм
2
Ячейка: ~220 nm
4.7 GB/слой (1996)
Ячейка: ~510 nm
1968
S. Ovshinsky
Память на фаз.
переходах
HDD
Флэш память
Метал. наночастица
(как элемент памяти):
- Размер элемента ( 2-4 nm)
- Энергия переключ.
- Время переключ. (~ns, ps)
- Применима в Плазмонике
(управл. Плазмон-Полярит.)
Галлий:
- Полиморфизм:
- Энергия фаз.переходов:
- Разные Опт.св-ва: |ε
жидк
|–|ε
α
|>150 (λ=1.5 µm)
Zheludev,
Nature Photonics 1, 551 (2007)
α
жидк
тверд
β εδ γ
βδ
10 hν
(0.4 µm)
15 nm
Фазовые переходы в наночастицах
Память
PRL, 98, 153905 (2007)
Температура
Отражение
Сосуществ.
фаз
‘0’
‘1’‘1’
h
ν
e-
Гистерезис
о
т
‘
0
’
к
‘
1
’
о
т
‘
1
’
к
‘
0
’
Shirinyan, Wautelet
Nanotechnology 15, 1720 (2004)
T
1
T
2
T
3
T
4
r
Своб. Энергия
наночастицы
2r
Ключ
Nano lett. 4, 2104 (2005)
PRL 92, 145702 (2004)
Обратите внимание, что под каждым результатом приведена ссылка на
статью, откуда он получен.
Далее приводится экспериментальная часть и обсуждение результатов.
Здесь можно показать экспериментальную установку, схематическое
изображение эксперимента, необходимое для понимания результатов и т. д.
Пример:
Выращивание наночастиц, получение изображений,
демонстрация работы памяти на одной установке
Спектро-
фотометр
Установка для
напыления Ga
Зеркало
Криостат
Выращивание Ga наночастиц
на торце оптоволокна
1.31 µm
CW лазер
Фотодетектор
Вакуумная камера
10
-6
mbar
1.55 µm
Импульсн. лазер
(2.7ns, 20kHz)
T= 90K
Ga атом. пучок
45 min
0.3nm/min
Цельный Ga: точка плавления
T
β(тверд.) - жидк.
= 257 K
Торец оптоволокна
(SMF-28)
125µm
9µm
Au
Криостат
После этого на нескольких слайдах приводятся основные результаты
проделанной работы. Желательно приводить схематические рисунки,
поясняющие эксперимент.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »
