Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н - 19 стр.

UptoLike

Составители: 

18
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1
«ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА»
Цель работы
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смеще-
нии р-п перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для
полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении
по вольтамперной характеристике.
4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на пере-
менном и постоянном токе.
5. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.
Сведения из теории
Одним из достоинств Elecrtronics Workbench является возможность смо-
делировать ситуации, возникающие при самых различных уровнях приборной
оснащенности исследователя, и освоить методики измерения, соответствую-
щие этим уровням. Рассмотрим эти ситуации на примере измерения вольтам-
перной характеристики полупроводникового диода. Начинающий радиолюби-
тель может иметь всего лишь один универсальный прибор мультиметр (ко-
торый мы привыкли называть тестером), но и в этом случае можно снять
вольтамперную характеристику (ВАХ) диода или любого другого нелинейного
двухполюсника. Проще всего в этом случае измерять напряжение на диоде в
схеме рис. 1.1, подсоединяя к диоду через резистор источники напряжения
различной величины. Ток диода при этом можно вычислять из выражения:
I
пр
= (Е – U
np
) / R, (1.1)
где I
пр
ток диода в прямом направлении; Е напряжение источника пи-
тания, U
пр
напряжение на диоде в прямом направлении.
Рис. 1.1. Схема для измерения напряжения на диоде при помощи мультиметра