Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

23
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2
«ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА»
Цель работы
1. Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения
база-эмиттер.
2. Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току
от тока коллектора.
3. Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки.
4. Получение входных и выходных характеристик транзистора.
5. Определение коэффициента передачи по переменному току.
6. Исследование динамического входного сопротивления транзистора.
Сведения из теории
Исследуемая схема показана на рис. 2.1. Статический коэффициент пере-
дачи тока определяется как отношение тока коллектора I
K
к току базы I
К
:
Б
К
DC
I
I
=β .
Коэффициент передачи тока определяется отношением приращения
коллекторного тока к вызывающему его приращению базового тока:
Б
К
DC
I
I
∆
∆
=β .
Дифференциальное входное сопротивление r
вх
транзистора в схеме
с общим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении на-
пряжения коллектор-эмиттер. Оно может быть найдено как отношение прира-
щения напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению тока базы:
1Б2Б
1БЭ2БЭ
Б
К
ВХ
II
UU
I
U
r
−
−
=
∆
∆
= .
Дифференциальное входное сопротивление r
вх
транзистора в схеме с ОЭ
через параметры транзистора определяется следующим выражением:
ЭDCБВХ
rrr
⋅
β
+
=
,
где
r
Б
-
распределенное
сопротивление
базовой
области
полупроводника
;
r
Э
-
дифференциальное
сопротивление
перехода
база
-
эмиттер
,
определяемое
из
выражения
: r
Э
= 25/ I
Э
,
где
I
Э
-
постоянный
ток
эмиттера
в
миллиамперах
.
Пер
-
вое
слагаемое
r
Б
в
выражении
много
меньше
второго
,
поэтому
им
можно
пренебречь
:
ЭDCВХ
rr
⋅
β
≈
.
Дифференциальное
сопротивление
r
Э
перехода
база
-
эмиттер
для
биполяр
-
ного
транзистора
сравнимо
с
дифференциальным
входным
сопротивлением
r
ВХОБ
транзистора
в
схеме
с
общей
базой
,
которое
определяется
при
фиксиро
-

Страницы