Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 19 стр.

UptoLike

Составители: 

19
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1
«ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА»
Цель работы
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смеще-
нии р-n перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для
полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении
по вольтамперной характеристике.
4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное
смещение) на пере-
менном и постоянном токе.
5. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.
Сведения из теории
Одним из достоинств Elecrtronics Workbench является возможность смоде-
лировать ситуации, возникающие при самых различных уровнях приборной ос-
нащенности исследователя, и освоить методики измерения, соответствующие
этим уровням. Рассмотрим эти ситуации на примере измерения вольтамперной
характеристики полупроводникового диода. Начинающий
радиолюбитель мо-
жет иметь всего лишь один универсальный прибормультиметр (который мы
привыкли называть тестером), но и в этом случае можно снять вольтамперную
характеристику (ВАХ) диода или любого другого нелинейного двухполюсника.
Проще всего в этом случае измерять напряжение на диоде в схеме рис. 1.1, под-
соединяя к диоду через резистор источники
напряжения различной величины.
Ток диода при этом можно вычислять из выражения
I
пр
= (Е – U
пр
) / R, (1.1)
где I
пр
ток диода в прямом направлении; Енапряжение источника питания,
U
пр
напряжение на диоде в прямом направлении.