Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 16 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 1.2. Типовое р аспределение примесей в структуре ИБТ с изоляцией

с помощью р-n перехода

Рис. 1.3. Типовое р аспределение примесей в структуре ИБТ с изоляцией

с помощью сло я двуокиси кремния

Рис. 1.4. З ависимость по д виж но сти но си тел ей заряда от концентрации

примесей в области базы