Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 57 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Расчет тепловых сопротивлений выпол няется по формулам

где (h, λ,

S)к - соответственно, толщина, ко эфф ициент теплопроводности мате-

риала и пл о щад ь кр исталл а; (h, λ, S)n -те же параметры, но дл я соединительно-

го слоя (припоя); λ, С, D, d - соответственно коэффициент теплопроводности

матер и ал а ножки корпуса (ко вар ), его толщина, диаметр кр ы шки корпуса и

приведенный диаметр ИМС; a, S

, h -соответственно коэффициент теплоотдачи

на конвекцию и излучение с поверхности кр ышки корпуса, пл о ща д ь этой

поверхности и высо та корпуса (ориентировочно а =10 Вт/м

·°С).

Максимальная температура элементов ИМС определяется по формуле

Ti max =

AMAX

+ (R

тк

+ R

тп

+ R

тн

+ R

тк-А

)·=·Σpi ,

где ΣPi - суммарная мо щно сть, выделяемая ИМС.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В уч еб но м пособии, в доступной для само сто ятельн о й работы фор ме, изло-

жен ы во п ро сы расчета и конструирования полупроводниковых интегральн ых

микросхем. Пр ед став лены спр авочн ые данные по технологии изготовления

ИМС, таб лиц ы и графики, что по з во ляет со кр атить вр е м я на р асч ет и разработ-

ку интегральных микросхем.

Данное уч ебн о е по со би е мо ж е т быть использовано студен тами для само сто я-

тельно й работы и пр и выполнении курсового проекта по дисциплине «Проек-

тирование и технология ин т е г р альн ых микросхем».