Электроматериалы. Руппель А.А. - 130 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СибАДИ | Омск

Составители: 

Рубрика: 

129
Se
Ge
CuO+Mn
2
O
3
Ni
Cu
1
2
3
4
5
Мост
Уитстона
Рис. 35. Принципиальная схема установки для из-
мерения электросопротивления полупроводников
и металлов при различных температурах
Порядок проведения работы:
1. Ознакомиться с установкой для определения электросопротив-
ления металлов и полупроводников при различных температурах
(рис. 35).
2. Измерить (сначала при комнатной температуре, а затем при
температурах 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100 °С) электросопротивление
полупроводников и металлов в такой последовательности: Se, Ge,
термистор (смесь окислов CuO + Mn
2
O
3
), Ni, Сu.
3. Построить графики зависимости электросопротивления от тем-
пературы для полупроводников и металлов.
Порядок измерения электросопротивления:
1. Установить переключатель моста Уитстона в положение, соот-
ветствующее величине сравнительного сопротивления, определяемо-
го множителем x (в случае измерения электросопротивления смеси
окислов CuO + Mn
2
O
3
множитель х должен быть равен 100, а для Se,
Ge, Ni и Сu – 1).
2. Вращая ручку реохорда моста Уитстона, установить стрелку
гальванометра в нулевое положение.
3. По положению ручки реохорда определить показатель шкалы
R
X
.
4. Рассчитать электросопротивление R (Ом) исследуемого мате-
риала по формуле
R = R
X
∙x, (6)
где R
X
– показатель шкалы реохорда; x – множитель, соответствую-
щий установленному сравнительному сопротивлению.
По окончании опытов при комнатной температуре панель с изу-
чаемыми материалами помещают в термостат для нагрева. Измерение
электросопротивления при повышенной температуре производится
точно так же, как и при комнатной.

Страницы