Электроматериалы. Руппель А.А. - 47 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СибАДИ | Омск

Составители: 

Рубрика: 

46
дефектах решетки (пустых узлах, искажениях, связанных с вне-
дрением иновалентных ионов, дислокациями, трещинами и т.д.).
При низких температурах преобладает рассеяние на примесях.
При высоких температурах преобладает рассеяние на тепловых коле-
баниях решетки.
Концентрация носителей заряда также зависит от температуры.
Однако при увеличении концентрации носителей заряда в полупро-
водниках выше определенного предела она практически перестает за-
висеть от температуры. Для электронов критическая концентрация
имеет порядок 10
25
м
-3
. Такие полупроводники называются вырож-
денными.
Увеличением концентрации примесей с низкой подвижностью в
данном примесном полупроводнике можно добиться увеличения его
удельного сопротивления.
Так, используя глубокий акцептор хром, можно получить арсенид
галлия с удельным сопротивлением до 10
6
Ом∙м. Такие полупровод-
ники относятся к высокоомным компенсированным.
Основные эффекты в полупроводниках и их применение.
С точки зрения применения в электротехнике к важнейшим отно-
сятся эффекты выпрямления, усиления (транзисторный эффект), Хол-
ла, Ганна, фотоэлектрический, термоэлектрический.
Электронно-дырочный p-n переход. Выпрямительными свойст-
вами обладает лишь p-n переход и контакт полупроводника с другими
металлами. p-n переход представляет собой границу, отделяющую
друг от друга области с дырочной и электронной проводимостью в
примесном полупроводнике. Переход должен быть непрерывным. В
цепи с переменным электрическим полем p-n переход работает как
выпрямитель.
Эффект Холла заключается в возникновении ЭДС Холла на гра-
нях полупроводникового бруска с током, помещенного в магнитное
поле. Величина ЭДС Холла определяется векторным произведением
тока I и магнитной индукции B. Знак ЭДС Холла легко определить по
правилу левой руки. Отогнув в сторону большой палец, найдем на-
правление смещения основных носителей заряда для данного типа
полупроводника.
Наиболее часто датчики Холла изготовляют на основе селенида и
теллурида ртути HgTe, HgSe, антимонида индия InSb и других полу-
проводниковых материалов в виде тонких пленок или пластинок. С их
помощью возможно измерение магнитной индукции или напряжен-
ности магнитного поля, силы тока и мощности, а при подведении к

Страницы