Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

13
То есть положение частицы не может быть определено абсолютно точно.
В соответствии с особенностями частиц, неопределенность их координаты
определяется выражениями [5]:
для фотонов
∆l ≥ hс/E, (20)
для электронов
∆l ≥ h/(2mE)
1/2
, (21)
для ионов
∆l ≥ h/(2ME)
1/2
, (22)
где с - скорость света, Е - энергия частиц, m - масса электрона, М - масса иона.
Неопределенность координаты ограничивает резкость краев линии ри-
сунка, переносимого на поверхность пластины. Для пучка фотонов в видимом
диапазоне соответствующая размытость края составляет 0,5 мкм; для элек-
тронного пучка при энергии Е = 10
4
эВ - 10
-2
нм. Однако, вследствие стати-
стического распределения электронов по энергиям и из-за их взаимодействия,
в пучке присутствуют и низкоэнергетические электроны, влияние которых
приводит к увеличению размытости до 1 - 2 нм. А с учетом расширения пучка
результирующая неопределенность при формировании границ рисунка со-
ставляет порядка 10 нм. Для ионных пучков эта величина примерно на поря-
док меньше, поскольку больше масса иона (см. выражение (22)) и практически
отсутствует рассеяние в слое резиста.
2. СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ СБИС
2.1. Методы формирования направленных пот оков частиц
Физические процессы, лежащие в основе субмикронной обработки мате-
риалов, достаточно разнообразны. Однако перечень средств, при помощи
которых можно нанести субмикронный рисунок на поверхность кристалла
СБИС, невелик. Это направленные, сфокусированные пучки электронов, ио-
нов или фотонов в ультрафиолетовом и рентгеновском спектрах [3].
Рассмотрим основные параметры, характеризующие пучки частиц, а
также методы формирования пучков заданного субмикронного сечения.
С точки зрения электронно-лучевой литографии основными достоинст-
вами источников электронов являются [4]:
1) высокая яркость;
2) малый разброс энергий электронов;
3) стабильность характеристик.

Страницы