Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 79 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

а б в

Рис. 59. Интегральные элементы на основе криотронов: а - условное обозна-

чение криотрона; б - элемент памяти; в - элемент ИЛИ-И-НЕ

Контакты 1, 2 и 3, 4 являются входными, а 5, 6 и 7, 8 - выходными. При

подаче на вход 1, 2 импульса тока сердечник соответствующего криотрона

перейдет в нормальное состояние. Иными словами, сопротивление левой час-

ти схемы станет отличным от нуля. При этом ток в левой части схемы станет

равным нулю, а в правой - I. Соответственно сердечник с контактами 5, 6 бу-

дет в сверхпроводящем состоянии, а сердечник с контактами 7, 8 - в нормаль-

ном. Пр и подаче импульса тока на выходы 5, 6 разность потенциалов на них

останется равной нулю. А при подаче импульса тока на выходы 7, 8 на них

появится импульс напряжения.

После окончания воздействия импульса тока на вход 1, 2 сердечник дан-

ного криотрона вновь перейдет в сверхпроводящее состояние, но распределе-

ние токов в элементе не изменится. Ток I будет по-прежнему протекать в пра-

вой части схемы, а в левой ток будет равен нулю. Это объясняется тем, что

для возникновения тока на участке цепи необходимо наличие разности потен-

циалов на концах этого участка. В данном случае разность потенциалов в

точках соединения левой и правой частей схемы равна нулю вследствие нуле-

вого сопротивления между этими точками (см. рис. 59,б).

Для перевода элемента в противоположное состояние (протекание тока I

в левой части схемы и отсутствие тока в правой части) необходимо подать

импульс тока на вход 3, 4.

Таким образом, состояние элемента можно изменять, подавая импульсы

тока на входы 1, 2 или 3, 4, то есть рассмотренный элемент (см. рис. 59,б)

выполняет функцию элемента памяти.