ВУЗ:
Составители:
47
Рис. 29. Температурная зависимость времени задержки ЛЭ на основе Si
при фиксированном напряжении питания
Рис. 30. Температурная зависимость мощности ЛЭ на основе Si
при фиксированном напряжении питания
48
Рис. 31. Температурная зависимость энергии переключения ЛЭ на основе Si
при фиксированном напряжении питания
Анализ приведенных принципов проектирования, вариантов конструктивно-
технологической реализации и результатов моделирования КПТШ-элементов пока-
зывает возможность реализации СБИС 8-9 степеней интеграции с термозависимым
питанием, характеризующихся потребляемой мощностью менее 1 Вт, что позволит в
десятки раз повысить степень микроминиатюризации изделий электронной техники
на основе СБИС и использовать более компактные системы отвода тепла с малым
энергопотреблением.
2.3.2. Сверхбыстродействующие интегральные элементы на основе
транзисторов со статической индукцией
Полевые транзисторы Шоттки со статической индукцией (СИТ) обладают
всеми достоинствами, свойственными ПТШ (см. п. 3.4.1.), и в настоящее время яв-
ляются одними из самых быстродействующих транзисторов, представляющих раз-
новидность так называемых аналоговых транзисторов в вертикальном исполнении.
Оценка предельной частоты для СИТ на основе GaAs дает величину 780 ГГц [28].
Высокое быстродействие СИТ обусловлено малым временем пролета «горячими»
носителями заряда короткого пролетного расстояния между истоком и стоком, а
также высокой подвижностью носителей вследствие низкой степени легирования
области канала. Фактически n-канальный СИТ представляет собой вертикальную n
+
-
n
-
-n
+
-структуру, в слабо легированной области которой расположены управляющие
переходы Шоттки (рис. 32).
В отличие от ПТШ, пространственный заряд управляющих переходов Шотт-
ки в СИТ заполняет всю область канала транзистора. При этом устраняется моду-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
