Приёмо-передающие радиоустройства и системы связи. Садомовский А.С. - 48 стр.

UptoLike

Составители: 

48
была меньше крутизны падающего участка вольтамперной характеристики
диода.
Возбужденные колебания в контуре нарастают по амплитуде за счёт
внутренней энергии, запасенной в диоде. Рост амплитуды генерируемых
колебаний прекращается, когда амплитуда колебаний выйдет за пределы
участка MN на ВАХ диода, и её средняя крутизна сравняется с крутизной
нагрузочной характеристики S
СР
=1/Z
ЭКВ
. В контуре установится стационарный
режим с постоянной амплитудой генерируемых колебаний.
Достоинства генераторов на ТД.
-
может работать в широком диапазоне частот от единицы кГц до десятков
ГГц;
-
низкий уровень собственных шумов, т. к. нет в ТД p-n перехода;
-
малое потребление энергии;
-
малые габариты;
-
простота технической реализации;
-
большой срок службы.
Недостатки генераторов на ТД.
-
малая мощность генерируемых колебаний (единицыдоли мВт);
-
требуется высокая стабильность источника питания Е.
Используется в качестве маломощных генераторов в малогабаритной СВЧ
аппаратуре.
2.4.12 Автогенераторы на диодах Ганна
Диод Ганна является двухполюсным полупроводниковым прибором,
обладающим динамическим отрицательным сопротивлением в СВЧ-диапазоне,
что позволяет использовать его для генерации и усиления электрических
колебаний в СВЧ диапазоне. В отличие от всех прочих полупроводниковых
приборов, называемых диодами, диод Ганна имеет однородную
полупроводниковую структуру без p-n перехода с невыпрямляющими
контактами выводов. Его ВАХ, снятая
на постоянном токе, подобна
характеристикам обычного резистора. Появление отрицательного
сопротивления на определённых частотах обусловлено объёмными явлениями,
возникающими при высокой напряжённости электрического поля в некоторых
полупроводниковых материалах.
Наиболее распространённым полупроводником для изготовления диодов
Ганна является арсенид галлия. В этом материале электроны в зоне
проводимости могут находиться в двух подзонах (долинах). В
первой из них,
где энергия электронов ниже, они обладают более высокой подвижностью, чем
во второй, где энергия электронов высокая. При напряженностях поля ниже
критической (Е
КР
=1,5 – 4 кВ/см) электроны проводимости находятся в нижней
долине, и скорость их дрейфа пропорциональна приложенному напряжению.
При Е > Е
КР
происходит «заброс» электронов в верхнюю долину, где