ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
ливается электрическое равновесие ( разность потенциалов между проводниками равна нулю ). Если же к
проводникам приложить извне разность потенциалов, то через туннельный контакт будет протекать элек-
трический ток.
Если туннельный контакт образуется между двумя сверхпроводниками, то возникает эффект Джо-
зефсона (стационарный или нестационарный), открытый английским ученым Б. Джозефсоном в 1962 г. Тун-
нельный контакт пр
и этом часто называют джозефсоновским.
Стационарный эффект Джозефсона состоит в том, что при нулевой разности потенциалов через тун-
нельный контакт в сверхпроводнике течет малый постоянный электрический ток.
Нестационарный эффект Джозефсона возникает в случае, когда к джозефсоновскому контакту при-
кладывается постоянное напряжение U. При этом через контакт будет протекать переменный ток
0
)( Iti
0
sin[
])/2( Uthe
,
где и
0
I
0
- постоянные величины, характеризующие амплитуду силы электрического тока и на-
чальную фазу, соответственно; е = 1,602 Кл – заряд электрона ( с точностью до 3 –
го знака после за-
пятой ); h = 6,626 Дж с – постоянная Пла
нка.
19
10
34
10
Джозефсоновский контакт, на котором поддерживается пос
тоянная разность потенциалов, испускает
электромагнитное излучение с частотой
:
/2( e
h)U,
где
=
f
2
- круговая частота.
Величина
heU /2/
483,59767 МГц / мкВ является постоянной Джозефсона.
Нестационарный эффект Джозефсона обратим: если джозефсоновский контакт облучать электромаг-
нитным полем с частотой
, то на контакте напряжение будет ступенчатым образом изменяться в зависи-
мости от частоты внешнего электромагнитного поля:
fehnU )2/(
,
где f – частота электромагнитного поля.
При выполнении равенства каждый раз при увеличении числа n на единицу будут наблю-
даться резкие ступеньки. Интервал между последовательными ступеньками достигает 4…5 мВ.
nhfeU 2
В метрологии эффект Джозефсона, нашел применение в качестве эталона единицы напряжения –
вольта. Повышение точности эталона вольта на эффекте Джозефсона выше 1
оказалось возможным
только при увеличении в … раз квантованного напряжен
ия первичного преобразователя частота-
напряжение (криозонда), который помещается в гелиевый сосуд, т.е. достижение значений квантованного
напряжения (1…10) В. Этого удалось добиться путем применения интегральной микросхемы, содержащей
одновременно до …
10
последовательно соединенных туннельных джозефсоновских переходов. Такие
микросхемы были созданы за рубежом и в нашей стране ВНИИМ им. Д. И. Менделеева. В схемах с 1000
джозефсоновских переходов получено напряжение около 1 В, а в схемах с 20000 переходов – около 12 В.
8
10
3
10
4
4
10
3
10
В России го
сударственный первичный эталон ЭДС и постоянного напряжения воспроизводит вольт с
помощью эффекта Джозефсона. Ра
змер единицы вольта передается вторичному эталону, в качестве которо-
го применяется группа термостатированных насыщенных нормальных элементов.
Квантовый эффект Холла связан с использованием явления сверхпроводимости. Если структуру ме-
талл-окисел-полупроводник (МОП-структура) охладить до температуры 4,2 К и поместить в сильное маг-
нитное поле с индукцией (6…12) Тл, то на выходе МОП-структуры, называе
мой холловским контактом,
электрическое сопротивление будет изменятся ступенчатым образом, в соответствии с записью rх = n (h /e2),
где h – постоянная Планка, Дж
с; е – заряд электрона, Кл. Значение холловского сопротивления
rх=25812,807 Ом имеет погрешность измерений около 2
10-7 .
Эталонная база России является, с одной стороны, самостоятельной и независимой, а с другой сторо-
ны, адаптированной к европейской и мировой системам обеспечения единства измерений.
Основными направлениями развития эталонной базы России в настоящее время являются:
−
оптимизации эталонной базы по составу и структуре;
−
создание системы взаимосвязи эталонов, в том числе "естественных", основанных на фундаменталь-
ных физических константах и статистических физических исследованиях в области воспроизведения основ-
ных и важнейших производных единиц;
−
создание систем эталонов, в которой разумно сочетается централизованное и децентрализованное
воспроизведение единиц;
22
ливается электрическое равновесие ( разность потенциалов между проводниками равна нулю ). Если же к проводникам приложить извне разность потенциалов, то через туннельный контакт будет протекать элек- трический ток. Если туннельный контакт образуется между двумя сверхпроводниками, то возникает эффект Джо- зефсона (стационарный или нестационарный), открытый английским ученым Б. Джозефсоном в 1962 г. Тун- нельный контакт при этом часто называют джозефсоновским. Стационарный эффект Джозефсона состоит в том, что при нулевой разности потенциалов через тун- нельный контакт в сверхпроводнике течет малый постоянный электрический ток. Нестационарный эффект Джозефсона возникает в случае, когда к джозефсоновскому контакту при- кладывается постоянное напряжение U. При этом через контакт будет протекать переменный ток i (t ) I 0 sin[ 0 (2e / h)Ut ] , где I 0 и 0 - постоянные величины, характеризующие амплитуду силы электрического тока и на- 19 чальную фазу, соответственно; е = 1,602 10 Кл – заряд электрона ( с точностью до 3 – го знака после за- 34 пятой ); h = 6,626 10 Дж с – постоянная Планка. Джозефсоновский контакт, на котором поддерживается постоянная разность потенциалов, испускает электромагнитное излучение с частотой : (2e / h)U, где = 2f - круговая частота. Величина / U 2e / h 483,59767 МГц / мкВ является постоянной Джозефсона. Нестационарный эффект Джозефсона обратим: если джозефсоновский контакт облучать электромаг- нитным полем с частотой , то на контакте напряжение будет ступенчатым образом изменяться в зависи- мости от частоты внешнего электромагнитного поля: U n (h / 2e) f , где f – частота электромагнитного поля. При выполнении равенства 2eU nhf каждый раз при увеличении числа n на единицу будут наблю- даться резкие ступеньки. Интервал между последовательными ступеньками достигает 4…5 мВ. В метрологии эффект Джозефсона, нашел применение в качестве эталона единицы напряжения – 8 вольта. Повышение точности эталона вольта на эффекте Джозефсона выше 1 10 оказалось возможным 3 4 только при увеличении в 10 … 10 раз квантованного напряжения первичного преобразователя частота- напряжение (криозонда), который помещается в гелиевый сосуд, т.е. достижение значений квантованного напряжения (1…10) В. Этого удалось добиться путем применения интегральной микросхемы, содержащей 3 4 одновременно до 10 … 10 последовательно соединенных туннельных джозефсоновских переходов. Такие микросхемы были созданы за рубежом и в нашей стране ВНИИМ им. Д. И. Менделеева. В схемах с 1000 джозефсоновских переходов получено напряжение около 1 В, а в схемах с 20000 переходов – около 12 В. В России государственный первичный эталон ЭДС и постоянного напряжения воспроизводит вольт с помощью эффекта Джозефсона. Размер единицы вольта передается вторичному эталону, в качестве которо- го применяется группа термостатированных насыщенных нормальных элементов. Квантовый эффект Холла связан с использованием явления сверхпроводимости. Если структуру ме- талл-окисел-полупроводник (МОП-структура) охладить до температуры 4,2 К и поместить в сильное маг- нитное поле с индукцией (6…12) Тл, то на выходе МОП-структуры, называемой холловским контактом, электрическое сопротивление будет изменятся ступенчатым образом, в соответствии с записью rх = n (h /e2), где h – постоянная Планка, Джс; е – заряд электрона, Кл. Значение холловского сопротивления rх=25812,807 Ом имеет погрешность измерений около 210-7 . Эталонная база России является, с одной стороны, самостоятельной и независимой, а с другой сторо- ны, адаптированной к европейской и мировой системам обеспечения единства измерений. Основными направлениями развития эталонной базы России в настоящее время являются: − оптимизации эталонной базы по составу и структуре; − создание системы взаимосвязи эталонов, в том числе "естественных", основанных на фундаменталь- ных физических константах и статистических физических исследованиях в области воспроизведения основ- ных и важнейших производных единиц; − создание систем эталонов, в которой разумно сочетается централизованное и децентрализованное воспроизведение единиц; 22