Эталоны. Сафронова К.В. - 22 стр.

UptoLike

Составители: 

ливается электрическое равновесие ( разность потенциалов между проводниками равна нулю ). Если же к
проводникам приложить извне разность потенциалов, то через туннельный контакт будет протекать элек-
трический ток.
Если туннельный контакт образуется между двумя сверхпроводниками, то возникает эффект Джо-
зефсона (стационарный или нестационарный), открытый английским ученым Б. Джозефсоном в 1962 г. Тун-
нельный контакт пр
и этом часто называют джозефсоновским.
Стационарный эффект Джозефсона состоит в том, что при нулевой разности потенциалов через тун-
нельный контакт в сверхпроводнике течет малый постоянный электрический ток.
Нестационарный эффект Джозефсона возникает в случае, когда к джозефсоновскому контакту при-
кладывается постоянное напряжение U. При этом через контакт будет протекать переменный ток
0
)( Iti
0
sin[
])/2( Uthe
,
где и
0
I
0
- постоянные величины, характеризующие амплитуду силы электрического тока и на-
чальную фазу, соответственно; е = 1,602 Клзаряд электрона ( с точностью до 3 –
го знака после за-
пятой ); h = 6,626 Дж спостоянная Пла
нка.
19
10
34
10
Джозефсоновский контакт, на котором поддерживается пос
тоянная разность потенциалов, испускает
электромагнитное излучение с частотой
:
/2( e
h)U,
где
=
f
2
- круговая частота.
Величина
heU /2/
483,59767 МГц / мкВ является постоянной Джозефсона.
Нестационарный эффект Джозефсона обратим: если джозефсоновский контакт облучать электромаг-
нитным полем с частотой
, то на контакте напряжение будет ступенчатым образом изменяться в зависи-
мости от частоты внешнего электромагнитного поля:
fehnU )2/(
,
где f – частота электромагнитного поля.
При выполнении равенства каждый раз при увеличении числа n на единицу будут наблю-
даться резкие ступеньки. Интервал между последовательными ступеньками достигает 4…5 мВ.
nhfeU 2
В метрологии эффект Джозефсона, нашел применение в качестве эталона единицы напряжения
вольта. Повышение точности эталона вольта на эффекте Джозефсона выше 1
оказалось возможным
только при увеличении в раз квантованного напряжен
ия первичного преобразователя частота-
напряжение (криозонда), который помещается в гелиевый сосуд, т.е. достижение значений квантованного
напряжения (1…10) В. Этого удалось добиться путем применения интегральной микросхемы, содержащей
одновременно до
10
последовательно соединенных туннельных джозефсоновских переходов. Такие
микросхемы были созданы за рубежом и в нашей стране ВНИИМ им. Д. И. Менделеева. В схемах с 1000
джозефсоновских переходов получено напряжение около 1 В, а в схемах с 20000 переходовоколо 12 В.
8
10
3
10
4
4
10
3
10
В России го
сударственный первичный эталон ЭДС и постоянного напряжения воспроизводит вольт с
помощью эффекта Джозефсона. Ра
змер единицы вольта передается вторичному эталону, в качестве которо-
го применяется группа термостатированных насыщенных нормальных элементов.
Квантовый эффект Холла связан с использованием явления сверхпроводимости. Если структуру ме-
талл-окисел-полупроводник (МОП-структура) охладить до температуры 4,2 К и поместить в сильное маг-
нитное поле с индукцией (6…12) Тл, то на выходе МОП-структуры, называе
мой холловским контактом,
электрическое сопротивление будет изменятся ступенчатым образом, в соответствии с записью rх = n (h /e2),
где h – постоянная Планка, Дж
с; езаряд электрона, Кл. Значение холловского сопротивления
rх=25812,807 Ом имеет погрешность измерений около 2
10-7 .
Эталонная база России является, с одной стороны, самостоятельной и независимой, а с другой сторо-
ны, адаптированной к европейской и мировой системам обеспечения единства измерений.
Основными направлениями развития эталонной базы России в настоящее время являются:
оптимизации эталонной базы по составу и структуре;
создание системы взаимосвязи эталонов, в том числе "естественных", основанных на фундаменталь-
ных физических константах и статистических физических исследованиях в области воспроизведения основ-
ных и важнейших производных единиц;
создание систем эталонов, в которой разумно сочетается централизованное и децентрализованное
воспроизведение единиц;
22
ливается электрическое равновесие ( разность потенциалов между проводниками равна нулю ). Если же к
проводникам приложить извне разность потенциалов, то через туннельный контакт будет протекать элек-
трический ток.
       Если туннельный контакт образуется между двумя сверхпроводниками, то возникает эффект Джо-
зефсона (стационарный или нестационарный), открытый английским ученым Б. Джозефсоном в 1962 г. Тун-
нельный контакт при этом часто называют джозефсоновским.
       Стационарный эффект Джозефсона состоит в том, что при нулевой разности потенциалов через тун-
нельный контакт в сверхпроводнике течет малый постоянный электрический ток.
       Нестационарный эффект Джозефсона возникает в случае, когда к джозефсоновскому контакту при-
кладывается постоянное напряжение U. При этом через контакт будет протекать переменный ток
                                          i (t )  I 0 sin[ 0  (2e / h)Ut ] ,

      где
          I 0 и  0 - постоянные величины, характеризующие амплитуду силы электрического тока и на-
                                            19
чальную фазу, соответственно; е = 1,602  10 Кл – заряд электрона ( с точностью до 3 – го знака после за-
                    34
пятой ); h = 6,626  10 Дж  с – постоянная Планка.
       Джозефсоновский контакт, на котором поддерживается постоянная разность потенциалов, испускает
электромагнитное излучение с частотой  :
                                                    (2e / h)U,
       где  = 2f - круговая частота.
       Величина  / U  2e / h  483,59767 МГц / мкВ является постоянной Джозефсона.
       Нестационарный эффект Джозефсона обратим: если джозефсоновский контакт облучать электромаг-
нитным полем с частотой  , то на контакте напряжение будет ступенчатым образом изменяться в зависи-
мости от частоты внешнего электромагнитного поля:
                                                 U  n  (h / 2e) f ,
      где f – частота электромагнитного поля.
      При выполнении равенства 2eU  nhf каждый раз при увеличении числа n на единицу будут наблю-
даться резкие ступеньки. Интервал между последовательными ступеньками достигает 4…5 мВ.
       В метрологии эффект Джозефсона, нашел применение в качестве эталона единицы напряжения –
                                                                              8
вольта. Повышение точности эталона вольта на эффекте Джозефсона выше 1 10 оказалось возможным
                             3    4
только при увеличении в 10 … 10 раз квантованного напряжения первичного преобразователя частота-
напряжение (криозонда), который помещается в гелиевый сосуд, т.е. достижение значений квантованного
напряжения (1…10) В. Этого удалось добиться путем применения интегральной микросхемы, содержащей
                     3    4
одновременно до 10 … 10 последовательно соединенных туннельных джозефсоновских переходов. Такие
микросхемы были созданы за рубежом и в нашей стране ВНИИМ им. Д. И. Менделеева. В схемах с 1000
джозефсоновских переходов получено напряжение около 1 В, а в схемах с 20000 переходов – около 12 В.
       В России государственный первичный эталон ЭДС и постоянного напряжения воспроизводит вольт с
помощью эффекта Джозефсона. Размер единицы вольта передается вторичному эталону, в качестве которо-
го применяется группа термостатированных насыщенных нормальных элементов.
       Квантовый эффект Холла связан с использованием явления сверхпроводимости. Если структуру ме-
талл-окисел-полупроводник (МОП-структура) охладить до температуры 4,2 К и поместить в сильное маг-
нитное поле с индукцией (6…12) Тл, то на выходе МОП-структуры, называемой холловским контактом,
электрическое сопротивление будет изменятся ступенчатым образом, в соответствии с записью rх = n (h /e2),
где h – постоянная Планка, Джс; е – заряд электрона, Кл. Значение холловского сопротивления
rх=25812,807 Ом имеет погрешность измерений около 210-7 .
       Эталонная база России является, с одной стороны, самостоятельной и независимой, а с другой сторо-
ны, адаптированной к европейской и мировой системам обеспечения единства измерений.
       Основными направлениями развития эталонной базы России в настоящее время являются:
       − оптимизации эталонной базы по составу и структуре;
       − создание системы взаимосвязи эталонов, в том числе "естественных", основанных на фундаменталь-
ных физических константах и статистических физических исследованиях в области воспроизведения основ-
ных и важнейших производных единиц;
       − создание систем эталонов, в которой разумно сочетается централизованное и децентрализованное
воспроизведение единиц;
                                                                                                      22