ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
17
тивных решений тонкопленочных индикаторов является
светоизлучающая структура, в которой подложка выполня-
ет функции диэлектрического слоя [12] (рис. 1.2.). В таких
структурах в качестве материала диэлектрической подлож-
ки используется сегнетоэлектрическая керамика с высокой
диэлектрической проницаемостью. Данная конструкция из-
лучателя также обладает вышеуказанными недостатками, а
также имеет более низкую разрешающую способность
вследствие значительной паразитной емкости
между со-
седними светоизлучающими ячейками в плоских экранах.
В тонкопленочных структурах, представленных на
рис. 1.1. и 1.2., диэлектрические и люминесцентные слои
могут состоять из двух или даже трех пленок различного
состава [10]. Двухслойные диэлектрики используются для
улучшения изолирующих свойств: повышения устойчивости
к электрическому пробою и снижения потерь, а также для
увеличения инжектирующей способности
границы раздела
<<люминофор–диэлектрик>>. В многослойных люминес-
центных слоях используются пленки сульфида цинка с раз-
личной величиной проводимости, связанной с легировани-
ем разными примесями, пленок селенида цинка и других
полупроводников [3]. Целью данных конструктивных реше-
ний является повышение эффективности возбуждения лю-
минесценции и увеличения яркости и светоотдачи индика-
торов.
Область светящегося
поля индикатора определяется
размерами, формой и взаимным расположением верхних и
нижних электродов; свечение люминофора возникает в
местах пересечения этих электродов на поверхности инди-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- …
- следующая ›
- последняя »
