Электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Самохвалов М.К - 74 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

73
Ток J
С
является зарядным током для конденсатора C
D
и активным током в слое люминофора, обуславливающим
возбуждение свечения в люминесцентном слое.
Если t – t
T
>> R(C
D
+ С
Р
), то J = a(C
D
+ С
Р
) и J
С
= aC
D
для t – t
T
< T/4, где Т – период изменения напряжения.
Для амплитудного значения приложенного напряжения
V = V
A
, когда t = T/4, V
C
= V
A
– aR(C
D
+ С
Р
).
Когда T/4 <
t < 3T/4, V = V
A
– a(t – T/4), т.е. dV / dt = – a,
V
C
= V + aR(C+С
Р
)–aR((C
D
+ С
Р
)+(C + С
Р
)) e
–(t–Т/4)/R(C + СР)
,
J =-a(C+С
Р
) ((1-((C
D
+С
Р
)+(C+С
Р
))/(C + С
Р
)) e
-(t-Т/4)/R(C+ СР)
),
J
С
= – aC ((1 – (C
D
+ C
Р
)/(C + С
Р
)) e
–(t–Т/4)/R(C + СР)
). (2.31)
Таким образом, в этой части периода изменения
внешнего напряжения │V
C
│ > │V│ для V > 0 и │V
C
│ < │V│
для V
C
< 0. Величина напряжения на обкладках конденса-
тора при уменьшении внешнего напряжения некоторое
время увеличивается выше значения V
CA
= V - aR(C
D
+ С
Р
).
Максимальное значение напряжения на обкладках
конденсатора определяется из условия dV
C
/ dt = 0, т. е.
J = 0, и составляет V
CM
= V
A
– aR(C + С
Р
) ln(1 + (C
D
+ С
Р
) / C)
для V
M
= V
CM
= V
A
– aR(C + С
Р
) ln (1 + (C
D
+ С
Р
) / (C + С
Р
)),
т.е. для t
M
– T/4 = R(C + С
Р
) ln (1 + (C
D
+ С
Р
) / (C + С
Р
)).
Величина напряжения V
СМ
ограничивается значением
пробивного напряжения диэлектрических слоев V
DПР
, т. е.
максимальное напряжение на слоях диэлектрика
V
DМ
= V
CМ
– V
LT
должно быть меньше V
DПР
= E
DПР
d
D
, где
E
DПР
и d
D
– электрическая прочность и толщина диэлектри-
ка, соответственно это требование ограничивает амплитуд-

Страницы