Элементы и устройства оптоэлектроники. Самохвалов М.К. - 22 стр.

UptoLike

Составители: 

21
люминофоре испускаемое диодом длинноволновое излучение преобразуется в
более коротковолновое, т.е. ИК-излучение может быть преобразовано в излу-
чение видимого диапазона. В качестве антистоксовых люминофоров исполь-
зуют фториды, оксисульфиды лантана, легированные Yb, Er, Ho, Tm, и другие
соединения. Однако это преобразование требует дополнительного расхода
энергии, поэтому эффективность такого преобразования от 0,1 до 10%.
Свойства и особенности инжекционных излучающих диодов
К основным спектральным параметрам инжекционных излучающих диодов
относятся длина волны, соответствующая максимальной интенсивности излу-
чения λ
max
и полуширина спектра ∆λ ( 40-100 нм). Полуширина спектра зави-
сит от рабочей температуры (∆λ ~ kT). Длина волны, соответствующая макси-
мальной интенсивности излучения λ
max
увеличивается с ростом температуры -
dλ
max
/dT = const ( 0.3 нм/ град). С изменением температуры изменяется и мощ-
ность P
изл
при заданном токе J
пр
. Мощность уменьшается в 2-3 раза при увели-
чении температуры от -60° до +70°. P
изл
линейно зависит от величины прямого
тока J
пр
до 10
2
-10
3
А/см
2
(для GaP до 10
А/см
2
). При уменьшении тока до 0.5-0.1
А/см
2
мощность излучения падает. Время переключения инжекционных излу-
чающих диодов составляет 15-20 нс (частота до 500 МГц).
Достоинства инжекционных излучающих диодов.
1. Малые размерыбескорпусные до 1,5-2 мм, корпусные 5-10 мм.
2. Малые рабочие напряжения - до 3 В (рабочий ток 5-20 мA).
3. Достаточно большая светоотдача (до 10-60 лм/Вт). Сила света 10
-4
-10 Кд.
4. Яркость 10
2
-10
6
кд/м
2
.
Перспектива развития инжекционных излучающих диодов - использование в
качестве излучающих элементов сверхмалых структур с квантовыми ямами и
точками, а также на основе сверхрешеток. Уменьшение размеров активных зон
до 10 нм приведет к изменению зонной диаграммы, уменьшению рассеяния
излучения и расширению возможностей инжекционных излучающих диодов.
Лазеры
Лазер - прибор (устройство), генерирующий оптическое когерентное излуче-
ние на основе эффекта вынужденного, стимулированного излучения. Термин
образован по первым буквам фразы Light Amplification by Stimulated Emission
of Radiation. Наиболее общими являются принципы классификации лазеров по
виду активной средыгазовые, жидкостные, твердотельные (отдельно полу-
проводниковые), и по способу ее возбуждения (накачки).
Полупроводниковые инжекционные лазеры
Инжекционный лазер представляет собой полупроводниковый двухэлек-
тродный прибор с p-n переходом (поэтому часто как равноправный использует-