Элементы и устройства оптоэлектроники. Самохвалов М.К. - 25 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Все эти несовершенства, проявляющиеся в конечном счете в высоком значении

плотности порогового тока, предопределили бесперспективность лазеров на

однородных полупроводниках.

Рис. 10. Энергетическая диаграмма односторонней и двойной гетерострук-

туры.

2. В односторонней гетероструктуре (ОГС) электронное ограничение идеаль-

но с одной стороны, с другой – как у гомоперехода. Достоинством ОГС являет-

ся простота технологии.

3. ДГС – двойная (двухсторонняя) гетероструктура – классическая. Достоин-

ства ОГС: малые пороговые плотности тока, большие выходные мощности.

4. 4-х, 5-тислойные структуры позволяют реализовать большие возможнос-

ти: J

пор

≤ 10

А/см

, Р

вых

≈ 0,1 Вт. Недостаток: сложнее технология из-за необхо-

димости введения переходных слоев.

Существует несколько наиболее распространенных конструктивных решений

изготовления активных областей полупроводниковых инжекционных лазеров

на основе гетероструктур.

1. Наиболее распространена полосковая геометрия активной области, реали-

зуемая с помощью мезатехнологии. Применяются также различные планарные

конструкции. Полосковая геометрия наиболее простая, позволяет получить ма-

лый объем генерации и малый пороговый ток, эффективные резонаторные

свойства (стабилизация одномодового режима, подавление паразитных попе-

речных мод), хороший теплоотвод, высокую долговечность и надежность.

Рис. 11. Гетеролазеры с полосковой мезаструктурой, с «зарощенной»

активной областью и с распределенной обратной связью.

2. Гетеролазеры с «зарощенной» активной областью (нитевидная форма ак-

тивной области) позволяет уменьшить пороговый ток, обеспечить высокую ко-

герентность. Ограничение с боков может осуществляться гетерограницами, ди-