Элементы и устройства оптоэлектроники. Самохвалов М.К. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

4
магнитного излучение составляет ~λ
3
. По этой причине световоды могут быть
на несколько порядков меньше волноводов СВЧ. Угловая расходимость луча
∼λ, для оптического диапазона нетрудно сформировать узкую диаграмму на-
правленности с угловым расхождением ∼ 1'. И если в СВЧ ( λ = 1 м) для этого
необходима антенна диаметром – 100 м, то в оптическом - сферическое зеркало
или линза меньших размеров.
3. Возможность двойной – временной и пространственной модуляции светово-
го луча, что позволяет проводить параллельную обработку информации и по-
лучать объемное голографическое изображение.
4 Передача информации осуществляется фотонами – электрически нейтраль-
ными частицами, вследствие чего реализуется: а) Идеальная гальваническая
развязка входа и выхода. б) Однонаправленность потока информации и отсут-
ствие обратной связи. в) Невосприимчивость оптических каналов к воздейст-
вию электромагнитных полей, т.е. помехозащищенность, исключение наводок
и паразитных связей. г) Многоканальность связи. д) Малое затухание сигналов.
5. Возможность непосредственного оперирования со зрительно воспринимае-
мыми образами, восприятия на входе и визуализации на выходе.
История оптоэлектроники опирается на ряд фундаментальных физических
открытий в области генерации, приема и преобразования светового излучения.
К основным вехам в предыстории и развитии оптоэлектроники можно отнести
следующие.
1864 – Дж. Максвелл получил основные уравнения электродинамики, позво-
лившие успешно объяснить совокупность опытных данных по оптике – явле-
ний дифракции, интерференции, рефракции и др., полученные ранее Х. Гюй-
генсом, И. Ньютоном, О. Френелем, М. Фарадеем и др.
1873 – У. Смит экспериментально обнаружил явление фотопроводимости
(внутренний фотоэффект).
1875 – Керр обнаружил электрооптический эффект.
1888 – А.Г. Столетов получил полное описание внешнего фотоэффекта, Уль-
янин обнаружил ЭДС в Se при облучении.
1905 – А.Эйнштейн предложил квантовую теорию фотоэффекта.
1905 – Гертель и Эльстед создали фотоэлемент.
1917 – А. Эйнштейн теоретически предсказал возможность получения выну-
жденного (индуцированного) излучения.
1917 – Начато промышленное производство фотоприемников на основе TaS.
1922 - О. Лосев обнаружил свечение в контакте металл – SiC (инжекционную
электролюминесценцию).
1936 – Ж. Дестрио обнаружил свечение в кристалле ZnS по действием элек-
трического поля (предпробойную электролюминесценцию).
1940 – В. А. Фабрикант сформулировал условия создания отрицательного по-
глощения (усиления излучения).
1947 - Д. Габор обосновал основные принципы голографии.
Начало 50-х. Созданы фотодиоды и фототранзисторы на р-п переходах
1954 – А.М. Прохоров, Н.Г. Басов и Ч. Таунс (США) создали молекулярный
генератор на аммиаке (мазер).

Страницы