ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
59
Оптоэлектронные микросхемы могут включать в себя бескорпусные излу-
чающие диоды, бескорпусные оптроны и ИМС.
Применяемые в настоящее время оптроны являются гибридными устройст-
вами, что относится к конструктивным недостаткам. Разрабатываются также
монолитные оптопары, которые представляют собой интегрированные твердо-
тельные излучающие и приемные структуры, изготавливаемые в одном техно-
логическом процессе. На рис. 38. показаны варианты монолитных устройств.
Рис. 38. Примеры конструкций оптронов на основе монолитных устройств.
Однако до сих пор ни в одном варианте монолитных оптронов не удалось
добится сочетания всех необходимых параметров: долговечности, надежности,
и устойчивости к внешним факторам. Основными нерешенными проблемами
остаются низкая эффективность излучательной и фоточувствительной струк-
тур, плохая светопередача и изоляция, неудовлетворительная совместимость
используемых материалов.
Резисторные оптроны
В резисторных оптронах в качестве приемников оптического излучения ис-
пользуются фоторезисторы на основе пленок CdS и CdSe. Особенностью фото-
резисторов является сравнительно большая инерционность (t
п
∼10
-1
с), поэтому
источниками излучения в этих оптронах могут быть лампы накаливания. Ис-
пользуются также светодиоды на основе GaP, согласованные по спектру излу-
чения.
Рис. 39. Обозначение резисторных
оптопар
Достоинства резисторных оптопар: воспроизводимость, большой срок службы,
малая стоимость, линейность и симметричность выходной характеристики, от-
сутствие фотоЭДС, высокое значение V
вых
(до 250 В), высокое значение
R
т
≈10
6
÷10
11
Ом.
CD GaAs
GaAlAs
ФД
p
n
i
GaAs
Сапфир
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 58
- 59
- 60
- 61
- 62
- …
- следующая ›
- последняя »
