ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
77
водников, как GaP, GaAsP, GaAlAs, GaN, InGaN, SiС. Выбор материала опреде-
ляется необходимостью получения заданных цветов свечения.
Расчет основных характеристик полупроводниковых индикаторов произво-
дится так же, как и для инжекционных излучающих диодов.
Достоинства светодиодов.
1. Возможность перекрытия всего видимого диапазона.
2. Совместимость по напряжению с ИС управления (V<1,5-3,5 В).
3. Долговечность (более 10
5
часов).
4. Быстродействие (10
-8
–10
-9
с).
5. Широкий температурный диапазон (-60 +125°С).
6. Компактность.
7. Технологичность.
Конструкции полупроводниковых индикаторов.
1. Монолитная. Сегменты с типичным размером 2х3 мм создаются методами
фотолитографии на полупроводниковом кристалле.
2. Гибридная. Каждый сегмент - отдельный излучающий кристалл на кера-
мическом основании.
Размеры светящихся областей относительно малы, что является одним из не-
достатков полупроводниковых индикаторов. Но высокая яркость светодиодов
позволяет использовать различные способы увеличения изображения.
1. В многоразрядных монолитно-гибридных индикаторах используется пла-
стмассовая моноблочная линза.
Рис. 51. Конструкция индикатора с моноблочной линзой.
2. Кристаллы помещают в основание конических расширяющихся прорезей в
пластмассовом корпусе.
Рис. 52. Структура индикатора со светорассеивающим материалом.
Яркость лицевой поверхности светодиода намного меньше яркости кристал-
ла. Но при относительно малых размерах светящихся элементов индикатора для
зрительного восприятия важна не яркость, а сила света - основной фотометри-
ческий параметр светодиодов (0,02-100 кд). Эти способы позволяют обеспечить
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 76
- 77
- 78
- 79
- 80
- …
- следующая ›
- последняя »
