Физические основы электротехники. Щербаков Е.Ф - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

27
К полупроводникам относятся германий, кремний, селен, арсенид галлия.
В практике применяют полупроводниковые резисторы, фотоэлек-
трические приборы, диоды. Широко применяются в качестве диодов полу-
проводники, обладающие
р-п-переходом. Эти приборы представляют со-
бой контактное соединение двух полупроводников, обладающих электрон-
ной проводимостью
п-типа и дырочной проводимостью р-типа (рис. 1.13).
Из-за сильной концентрации электронов
п-типа в зоне контакта по
сравнению с полупроводником
р-типа, электроны из первого элемента бу-
дут проникать во второй. Также будет происходить проникновение «ды-
рок» в полупроводник
п-типа. В зоне контакта возникнет напряженность
Е
к
. Эта напряженность создается контактной разностью потенциалов на
границе двух полупроводников. При определенном уровне проникновения
зарядов напряженность
Е
к
создает препятствие дальнейшему проникнове-
нию зарядов. Напряженность в контактном слое
Е
к
направлена против си-
лы, действующей на положительный заряд.
Если к полупроводнику с
р-п-переходом подвести напряжение U от
постороннего источника, то будет создано внешнее поле с напряженно-
стью
Е
1
. Его направление зависит от полярности источника. При прямом
включении источника напряженность
Е
1
направлена против напряженно-
сти
Е
к
(рис. 1.13, а), при обратном включении – в одном направлении с Е
к
(рис. 1.13,
б). При этом противодействие положительным зарядам усили-
вается. Обратный ток может быть равным нулю. Это говорит о том, что
полупроводники с
р-п-переходом обладают односторонней проводимостью.
Рис. 1.13. Направление напряженности поля в полупроводнике
при прямом (а) и обратном (б) включении источника

Страницы