ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Семейство статических характеристик транзистора характеризуют основные параметры: коэффициенты эмиттерного α и β
базового токов, входное
вх
r и выходное
вых
r сопротивления транзистора, а также коэффициент внутренней обратной связи по
напряжению
n
µ . Все указанные параметры легко определить из семейств статических характеристик. Например, при включении
транзистора по схеме с ОЭ:
ккэквых
iUrr
∆
∆
=
=
при const
б
=
i ;
ббэбвх
iUrr
∆
∆
=
= при const
кэ
=
U ;
кэбэ
UU
∆
∆
=µ при const
б
=
i ;
т.е.
вх
r
– определяется наклоном входных характеристик;
вых
r
– наклоном выходных характеристик.
Порядок выполнения работы
1. Собрать схему (рис. 3.8), снять и построить семейство входных характеристик )(
бэб
UfI = биполярного
транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, при значениях напряжения: U
к
= 0, –5, –10 В. Изменять его от 0
до 1 В с шагом 0,2 В.
Рис. 3.8. Схема включения транзистора для снятия входных характеристик
Вольтметр типа GDM-8135 используется для измерения I
б
, I
к
, U
кэ
, соответственно мкА, мА, V
к
.
2. Снять и построить семейство выходных характеристик
)(
кэк
UfI
=
биполярного транзистора, при трех
значениях тока базы: I
б
= = 50, 100, 150 мкА. U
кэ
изменять от 0 до 10 В.
3. По полученным характеристикам транзистора определить параметры α, β, r
вх
, r
вых
, µ
т
при U
кэ
= –5 В, I
б
= 100
мкА.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- …
- следующая ›
- последняя »