Общая электротехника и электроника. Селиванова З.М - 52 стр.

UptoLike

1)
мА21
допmax
к
=
I
; 2)
мВт125
допmax
к
=
P
;
3)
мА10
кп
=
I
; 4)
кГц40
р
>
f
из справочника по полупроводниковым приборам (транзисторам малой мощности) выбираем транзи-
стор
n
-
p
-
n
КТЗ15А со следующими параметрами:
мВт150
допmax
к
=
P
;
МГц250
гр
=
f
;
В25
кэ
=
U
;
мА100
max
к
=
I
;
кбо
I
,
мкА5,0
кбо
=
I
;
.120...30
э
21
=
h
Рассчитываем значение резистора. Полагаем, что
кэ
)5,0...1,0(
RR
=
; тогда выбираем
кОм0,3кОм2,125,0
э
==
R
.
Для определения рабочей точки транзистора и уточнения значений тока и напряжения покоя на ста-
тических входных и выходных характеристиках биполярного транзистора с ОЭ (рис. 9.2 и 9.3) строим
нагрузочную прямую на выходных характеристиках
I
к
=
f
(
U
кэ
).
Нагрузочная прямая на выходных характеристиках строится в режимах холостого хода (ХХ) и ко-
роткого замыкания (КЗ). Для выходной цепи транзистора (коллектор-эмиттер) по второму закону Кирх-
гофа
U
RI
U
кэ
п
кк
+=
.
В режиме ХХ
I
к
= 0, при этом
U
кэ
=
U
п
= 25 В.
В режиме КЗ
U
кэ
= 0, при этом
А021,0
Ом1200
В25
к
п
к
===
R
U
I
.
На выходных характеристиках откладываем точку
E
, соответствующую режиму ХХ, и точку
D
, со-
ответствующую режиму КЗ. Через точки
D
и
Е
проводим нагрузочную прямую, на которой отмечаем
точку покоя
А
по координате тока коллектора покоя
I
кп
.
Для определения
кп
I
откладываем
min
к
I
соответствующий
min
б
I
.
max
к
I
соответствует точка пересече-
ния нагрузочной прямой
DE
и штриховой линии
ОС
, отделяющей на выходных характеристиках режим
насыщения (точка
В
).
Рис. 9.2. Статические входные характеристики
биполярного транзистора КТЗ15 А С ОЭ
I
б
=
f
(
U
бэ
)
кп
I
определяется по формуле
2
maxкminк
кэп
II
I
+
=
;
мА10
2
мА18мА2
кп
=
+
=
I
.
Рабочей точке
А
соответствует напряжение
В5,12
кэп
=
U
.
Мощность рассеяния на коллекторе
I
б
, мА
U
бэ
, В