Проектирование и технология электронных средств. Селиванова З.М - 68 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

68
− 564КТ3, 564ЛА7, 564ЛА8, 564ЛН2, 564ЛП2, 564ЛП13,
564ТМ2, 1НТ251 N = 4;
− 1478ФН1У N = 3;
− 3ОТ110Б N = 1;
− Р1-12-0,125 N = 4;
− Р1-12-0,5 N = 2;
− SM4001 N = 2;
− 2ДС523ВР N = 2.
Q
ис
– мощность, рассеиваемая используемой интегральной схемы
(ИС).
− OP4177 Q
ис
= 0,12 Вт;
− OP2177 Q
ис
= 0,12 Вт;
− 564ИЕ10, 564КП1, 564КП2, 564ПУ4 Q
ис
= 0,12 Вт;
− 564КТ3, 564ЛА7, 564ЛА8, 564ЛН2, 564ЛП2, 564ЛП13,
564ТМ2, 1НТ251 Q
ис
= 0,15 Вт;
− 1478ФН1У Q
ис
= 0,12 Вт;
− 3ОТ110Б Q
ис
= 0,12 Вт;
− Р1-12-0,125 Q
ис
= 0,125 Вт;
− Р1-12-0,5 Q
ис
= 0,5 Вт;
− SM4001 Q
ис
= 0,15 Вт;
− 2ДС523ВР Q
ис
= 0,15 Вт.
S
исi
– суммарная поверхностная площадь используемых ИС.
− OP4177 S
ис
= 112 мм
2
= 112
⋅
10
–6
м
2
;
− OP2177 S
ис
= 314 мм
2
= 314
⋅
10
–6
м
2
;
− 564ИЕ10, 564КП1, 564КП2, 564ПУ4 S
ис
= 756 мм
2
= 756
⋅
10
–6
м
2
;
− 564КТ3, 564ЛА7, 564ЛА8, 564ЛН2, 564ЛП2, 564ЛП13,
564ТМ2, 1НТ251 S
ис
= 825 мм
2
= 825
⋅
10
–6
м
2
;
− 1478ФН1У S
ис
= 154 мм
2
= 154
⋅
10
–6
м
2
;
− 3ОТ110Б S
ис
= 1272,5 мм
2
= 1272,5
⋅
10
–6
м
2
;
− Р1-12-0,125 S
ис
= 742 мм
2
= 742
⋅
10
–6
м
2
;
− Р1-12-0,5 S
ис
= 40 мм
2
= 40
⋅
10
–6
м
2
;
− SM4001 S
ис
= 56,4 мм
2
= 56,4
⋅
10
–6
м
2
;
− 2ДС523ВР S
ис
= 50 мм
2
= 50
⋅
10
–6
м
2
.
δ
зi
– зазор между ПП и ЭРЭ:
δ
зi
= 1 мм = 10
–3
мм;
λ
зi
≈ 0,25 Вт/(м·К) – коэффициент теплопроводности материала,
заполняющего зазор между ПП и ЭРЭ (воздух).

Страницы