Схемотехника электронных средств. Селиванова З.М. - 11 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

Рассчитанным параметрам удовлетворяет пара биполярных транзисторов КТ 814 (pnp) и КТ
815 А (npn), имеющих такие параметры I
к макс
=1,5А; β 40; Р
к доп
= 10 Вт; U
кэ макс
= 40В; f
т
= 3 МГц.
Их вольт-амперные характеристики (ВАХ) показаны на рис. 3.
Как видим, здесь выполнены следующие условия:
максккт
II <
;
(0,25…0,3)Р
вых
Р
к доп
;
|
Е
пит
| < U
кэ доп
.
Указанная в справочнике граничная частота f
т
связана с частотой
f
в
соотношением: f
т
β f
в
, откуда следует, что f
β
f
т
/ β = (3 10
6
) /40 =
= 75 кГц, т.е. требования по частоте также выполняются.
Выбираем кремниевый диод, устанавливаемый для начального смещенияД 206. Из его ВАХ сле-
дует, что для обеспечения на этом диоде напряжения 0,6 В через него должен течь ток 5мА. Отсюда на-
ходим сопротивление резисторов R
1
и R
2
:
R
1
= R
2
= (Е
пит
U
д
) / I
д
= (9 – 0,6) / (5 10
-3
) = 1,68 10
3
Ом.
а) б)
Рис. 3 Входная (а) и выходные (б) характеристики
Ближайший номинал 1,6 кОм. Отмечаем, что R
1
, R
2
R
вх
. Коэффициент передачи усилителя по на-
пряжению:
K
U
[(1 + β) R
н
] / (R
г
+ R
вх
) (1 + β) R
н
/ [ R
г
+ (1 + β) R
н
] =
= (41 5) / (100 + 41 5) = 0,67.
Амплитуда входного напряжения:
U
т вх
= U
тн
/ K
U
= 6 / 0,67 = 9,55 B.
Амплитуда входного тока:
I
т вх
= U
т вх
/ R
вх
= 9,55 / 205 = 46,5 мА.
I
, 
I
,
80
40
0
0,3
0,6
0,9
U

,
1,6
0,8
2,0
1,2
0
0,4
3
6
9
U

,
12
I
= 5 
15 
25 мА