Дефекты структуры и физические свойства кристаллов. Семенова Г.В - 49 стр.

ментарные дефекты являются основным системообразующим фактором
когерентной структуры. Известно, что дефекты взаимодействуют между
собой посредством связанных с ними полей внутренних напряжений, обра-
зуя комплексы. «Запуск» нестабильности за счет энергетических флуктуа-
ций в кристалле, приходящих от решетки, осуществляется легче в услови-
ях ускоренного распада дефектных комплексов, обусловленного действием
магнитного поля. Поскольку диффузионная подвижность элементарных
дефектов выше подвижности их комплексов, то распад последних приво-
дит к резкому увеличению макроскопического значения коэффициента
диффузии. Именно этот результат указывает на возможность перехода от
предельного цикла к диссипативной структуре. Смена характера переход-
ного процесса обусловлена неустойчивостью системы по отношению к
диффузии, особенно в случае пространственно неоднородных возмуще-
ний. Отсюда же следует, что возникновение в твердых телах диссипатив-
ных структур становится более вероятным при использовании импульсных
магнитных полей с большими градиентами, так как при этом пространст-
венная неоднородность возмущений возрастает.

     Авторы такого подхода доказывают целесообразность применения
импульсных магнитных полей (ИМП) для управления структурой и свой-
ствами твердых тел в силу того, что различные по природе дефектные
комплексы по-разному отвечают на одно и то же воздействие, и вместе с
тем различные внешние воздействия неодинаково влияют на один и тот же
дефектный комплекс.




                                  49