ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
52
ем напряжения
C
U
на конденсаторе С по сравнению с падением напряжения на
резисторе
()
C22
URI >>
, получим выражение для тока
2
I
во вторичной обмотке
dt
dB
R
SN
R
I
2
2
2
2
−=
ε
=
. (4.17)
При этом напряжение
C
U
на конденсаторе С, подаваемое на пластины Y ос-
циллографа будет пропорционально В:
B
CR
SN
dt
dt
dB
CR
SN
dtI
C
1
C
q
UU
2
2
2
2
2CY
−=−===
∫∫
(4.18)
где q – заряд, С – емкость конденсатора.
В результате на одни пластины осциллографа подается напряжение
пропорциональное Н, а на другие – пропорциональное В.
Рис. 4.7. Форма петель гистерезиса, наблюдаемая на экране осциллографа
При увеличении напряжения U
X
потенциометром R будет увеличиваться
амплитуда колебаний H, при этом на экране будет получаться ряд различных по
площади петель гистерезиса (рис. 4.7.). Верхняя точка петли гистерезиса нахо-
дится на кривой намагничивания. Следовательно, для построения кривой
В=В(Н) необходимо снять координаты
п
х
и
п
у
вершины петель гистерезиса, ко-
торые определяются в делениях шкалы экрана осциллографа (рис. 4.7.). Вели-
чины В и H можно вычислить из соотношений (4.14) и (4.18):
X
1
1
U
RI
N
H
⋅
=
;
Y
2
2
U
SN
CR
B
=
(4.19)
Умножая значения координат п
х
и п
у
на значения чувствительности ка-
налов горизонтального и вертикального отклонения u
х
и u
у
, соответственно,
(в В/дел или мВ/дел), получим абсолютные значения напряжения U
x
и U
y
:
U
x
=u
x
n
x
; U
y
=u
y
n
y
. (4.20)
Окончательные выражения для вычисления В и H принимают вид:
X
1
X1
n
RI
uN
H
⋅
⋅
=
;
Y
2
Y2
n
SN
uCR
B
⋅⋅
=
. (4.21)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 50
- 51
- 52
- 53
- 54
- …
- следующая ›
- последняя »
