Составители:
Рубрика:
123
записи и переключения в область пико–и фемтосекунд, оптимизацию сред
для объемной оптической записи и поиск эффективных систем считывания
информации.
Для реализации заложенных научных идей созданы стенды с
пикосекундным лазером типа EXPLA PL 2143 (λ = 266 нм, 355 нм, 532 нм,
1060 нм, W
имп
=30 мДж, τ = 30 пс,
f
= 10 Гц) и фемтосекундным лазером типа
AVESTA (TiF-100-F4 λ = 710-950 нм,
Р
ср
= 500 мВт,
f
= 90 МГц, τ = 100 фс), с
10) импульсными СО
2
-лазерами (λ = 10,6 мкм)ТЕА-типа (
Р
имп
= 10
6
Вт,
f
=
500 Гц, τ = 200 нс) и щелевым (
Р
ср
= 150 Вт,
f
= 50-5000 Гц, τ = 30-500 мкс),
позволяющими в максимальной степени реализовать потенциал работы.
Для контроля за процессом разработаны схемы, созданы и оснащены
системы микрофотометрического контроля (микроскоп-спектрофотометр
МСФУ–К (ОАО «ЛОМО»), увеличение – до 1000Х, спектральный диапазон
регистрации спектров: и оптической плотности 350-900 нм, минимальный
размер фотометрируемого участка 1 мкм), микротепловизионного контроля
(тепловизор FLIR–Titanium), спектральный диапазон 8-14 мкм, разрешение
изображения 320 х 256, 14 бит, , максимальная частота обновления полных
кадров 380 Гц скоростной видеографии (видеокамера AOS–x–motion) и др.
Работа проводится совместно с кафедрой оптоинформационных
технологий и материалов (заведующий кафедрой — Н.В.Никоноров),
обладающей большим опытом создания и исследования оптических
материалов и всем комплексом необходимого термофизического,
оптического и испытательного оборудования и приборов.
3) Наноструктурирование тонких металлических и полупроводниковых
слоев.
Работа основана на обнаруженном в лаборатории кафедры ЛТ еще в
1967–70 гг. эффекте локального термохимического воздействия лазерного
излучения и, в частности, на радикальном изменении растворимости Cr при
его лазерном окислении. В последнее время этот эффект дополнен также
«микроструктурным» воздействием лазерного излучения на структуру
тонких слоев Cr, Si и, соответственно Cr
2
O
3
и SiO
2
. Оба эффекта позволяют
управлять топологией и другими параметрами структур.
Работа базируется на использовании коротких (N
2
–лазер, 0.337 мкм, 10
нс) и сверхкоротких импульсов (пикосекундный и фемтосекундный лазеры,
упомянутые выше, эксимерный ArF лазер (CL-7020,
W
имп
= 250 мДж,
Р
ср
= 5
Вт,
f
= 20 Гц, τ = 17 нс) и коротких длин волн (193 нм, 226 нм, 337 нм, 355
нм) для повышения разрешающей способности метода и продвижения его в
область нанометрических размеров вплоть до теоретического предела
разрешающей способности (~ толщины защитной окисной пленки). При ее
проведении используются также указанные выше приборы и устройства —
зондовый микроскоп, микротепловизор и целый ряд химических и
термофизических методик.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 121
- 122
- 123
- 124
- 125
- …
- следующая ›
- последняя »
